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静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计
被引量:
1
1
作者
刘士兴
范对鹏
+3 位作者
程龙
王世超
丁力
易茂祥
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期1453-1461,共9页
为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选...
为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选择干扰是影响DICE结构的SRAM单元稳定性和寿命的主要原因.针对DICE单元抗辐照结构的特性,提出新的DICE单元读写端口结构.通过在组成读写端口的4个晶体管之间加入额外的控制晶体管,阻断了DICE单元存储节点相连的路径,消除了读干扰和半选择干扰的影响,避免了单元的读故障和半选择故障的出现.改进后的DICE单元在读状态和半选择状态时的抗辐照能力与改进前相比得到了提升.通过仿真实验,验证了改进后DICE单元的功能正确性和抗老化有效性,直接减少了DICE单元经过108 s老化后22.6%的读失效率.
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关键词
双向
互锁
存储单元
(
dice
)
偏置温度不稳定性
控制晶体管
读干扰
半选择干扰
抗老化
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职称材料
基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计
被引量:
1
2
作者
张宇飞
余超
+2 位作者
常永伟
单毅
董业民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期335-340,400,共7页
基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固...
基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置。对双互锁存储单元(DICE)加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比。测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV·cm^2·mg^(-1)的线性能量转移(LET)阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm^2·mg^(-1)和99.8 MeV·cm^2·mg^(-1)两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁。结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计(RHBD)可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力。
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关键词
标准
单元
库
单粒子效应(SEE)
双
互锁
存储单元
(
dice
)
抗辐射加固设计(RHBD)
绝缘体上硅(SOI)
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职称材料
DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证
被引量:
5
3
作者
张丹丹
杨海钢
+3 位作者
李威
黄志洪
高丽江
李天文
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期495-500,共6页
分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D...
分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证。仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器。辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面。
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关键词
抗单粒子翻转(SEU)
三模冗余(TMR)
双
互锁
存储单元
(
dice
)
触发器
辐照实验
下载PDF
职称材料
题名
静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计
被引量:
1
1
作者
刘士兴
范对鹏
程龙
王世超
丁力
易茂祥
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
出处
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期1453-1461,共9页
基金
国家自然科学基金面上项目(61371025
61574052
61274036)
文摘
为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选择干扰是影响DICE结构的SRAM单元稳定性和寿命的主要原因.针对DICE单元抗辐照结构的特性,提出新的DICE单元读写端口结构.通过在组成读写端口的4个晶体管之间加入额外的控制晶体管,阻断了DICE单元存储节点相连的路径,消除了读干扰和半选择干扰的影响,避免了单元的读故障和半选择故障的出现.改进后的DICE单元在读状态和半选择状态时的抗辐照能力与改进前相比得到了提升.通过仿真实验,验证了改进后DICE单元的功能正确性和抗老化有效性,直接减少了DICE单元经过108 s老化后22.6%的读失效率.
关键词
双向
互锁
存储单元
(
dice
)
偏置温度不稳定性
控制晶体管
读干扰
半选择干扰
抗老化
Keywords
dual interlocked cell(
dice
)
bias temperature instability effect(BTI)
controlling transistor
read disturb
half-selected disturb
combating aging
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计
被引量:
1
2
作者
张宇飞
余超
常永伟
单毅
董业民
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中国科学院大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期335-340,400,共7页
基金
中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015)
文摘
基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余(TMR)的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置。对双互锁存储单元(DICE)加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比。测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV·cm^2·mg^(-1)的线性能量转移(LET)阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm^2·mg^(-1)和99.8 MeV·cm^2·mg^(-1)两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁。结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计(RHBD)可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力。
关键词
标准
单元
库
单粒子效应(SEE)
双
互锁
存储单元
(
dice
)
抗辐射加固设计(RHBD)
绝缘体上硅(SOI)
Keywords
standard cell library
single event effect (SEE)
dual interlocked storage cell (
dice
)
radiation hardened by design (RHBD)
silicon on insulator (SOI)
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证
被引量:
5
3
作者
张丹丹
杨海钢
李威
黄志洪
高丽江
李天文
机构
中国科学院电子学研究所
中国科学院大学
中国电子科技集团公司第五十研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期495-500,共6页
基金
国家科技重大专项资助项目(2013ZX03006004)
国家自然科学基金课题资助项目(61271149)
+1 种基金
中国科学院
国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计划资助项目
文摘
分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证。仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器。辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面。
关键词
抗单粒子翻转(SEU)
三模冗余(TMR)
双
互锁
存储单元
(
dice
)
触发器
辐照实验
Keywords
single event upset(SEU) tolerance
triple modular redundancy(TMR)
dual interlocked storage cell(
dice
)
flip-flop
radiation experiment
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计
刘士兴
范对鹏
程龙
王世超
丁力
易茂祥
《浙江大学学报(工学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
2
基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计
张宇飞
余超
常永伟
单毅
董业民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
下载PDF
职称材料
3
DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证
张丹丹
杨海钢
李威
黄志洪
高丽江
李天文
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
下载PDF
职称材料
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