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同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究 被引量:53
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作者 胡宗波 张波 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第3期88-93,共6页
该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性 ,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线 ,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗 ,为此 ,该文基于MOSFET的等效损耗模型 ,深入研究了MOSFET... 该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性 ,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线 ,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗 ,为此 ,该文基于MOSFET的等效损耗模型 ,深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系 ,得到MOSFET同步整流效率曲线。此外 ,文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二极管整流损耗进行了比较 ,提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式。该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压、单管或多管并联运行方式的选择具有实际指导意义。 展开更多
关键词 同步整流器 MOSFET 双向导电特性 整流损耗
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