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同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究
被引量:
53
1
作者
胡宗波
张波
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2002年第3期88-93,共6页
该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性 ,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线 ,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗 ,为此 ,该文基于MOSFET的等效损耗模型 ,深入研究了MOSFET...
该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性 ,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线 ,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗 ,为此 ,该文基于MOSFET的等效损耗模型 ,深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系 ,得到MOSFET同步整流效率曲线。此外 ,文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二极管整流损耗进行了比较 ,提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式。该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压、单管或多管并联运行方式的选择具有实际指导意义。
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关键词
同步整流器
MOSFET
双向导电特性
整流损耗
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职称材料
题名
同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究
被引量:
53
1
作者
胡宗波
张波
机构
华南理工大学电力学院
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2002年第3期88-93,共6页
文摘
该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性 ,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线 ,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗 ,为此 ,该文基于MOSFET的等效损耗模型 ,深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系 ,得到MOSFET同步整流效率曲线。此外 ,文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二极管整流损耗进行了比较 ,提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式。该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压、单管或多管并联运行方式的选择具有实际指导意义。
关键词
同步整流器
MOSFET
双向导电特性
整流损耗
Keywords
synchronous rectification
MOSFET(Metallic Oxide Semicohductor Field Effect Transistor)
bi directional conductibility
power loss
分类号
TM461 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究
胡宗波
张波
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2002
53
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