双坩埚法生长YBCO(123相)超导单晶

本文采用自助熔剂法和对扣双坩埚、高温翻转工艺获得了供超导基础研究用的３×５×８（ｍｍ）３高质量ＹＢＣＯ（１２３相）单晶样品，测得其超导转变温度Ｔｃ在退火前为８４Ｋ，在５００℃氧气氛中退火后达到９１Ｋ．

用双坩埚硫化法制备Y_2O_2S:Eu^(3+)纳米纤维

通过静电纺丝技术制备了PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米纤维,在700℃焙烧后得到Y2O3:Eu3+纳米纤维,然后采用双坩埚法硫化Y2O3:Eu3+纳米纤维,得到Y2O2S:Eu3+纳米纤维,并将其与固-固合成法得到的Y2O2S:Eu3+颗粒进行了比较,证明了双坩埚硫化法是一种重要的硫化方法,既可以在较低的温度下得到纯六方晶系的Y2O2S:Eu3+,又保持了Y2 O3:Eu3+纳米纤维的形貌。详细地讨论了双坩埚硫化方法的反应机理。

双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟

采用低雷诺数κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质。分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布。结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体;外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外,主要集中在小管内及其附近。

双坩埚三维温度梯度法蓝宝石晶体生长炉设计

在已有的三维温度梯度法(3DGF)蓝宝石晶体生长炉基础上,设计了一种双坩埚蓝宝石晶体生长炉。设计的三维温度梯度法蓝宝石晶体生长炉主要针对蓝宝石手机面板市场,将坩埚设计成长方体型,增加了材料利用率,并简化了晶体切割工艺。采用双坩埚技术,可进一步提高晶体的生产效率,节约能耗,降低成本。本设计的双坩埚3DGF蓝宝石晶体生长炉可单炉获得2个300 mm×100 mm×100 mm的蓝宝石晶体。

As-S多模红外光纤的双坩埚法制备工艺

对As-S芯皮(纤芯—包层)结构多模光纤的制备工艺进行了研究。通过设定芯料管和皮料管压力比、拉丝速度和拉丝温度等工艺参数,可获得不同直径以及芯径皮厚比的多模As-S芯皮结构红外光纤。当双坩埚尺寸固定,光纤芯径会随着芯料管和皮料管压力比的增大而增大,而皮厚则会减小;但当皮料管压力减小到一定程度并保持一定时,光纤芯径和皮厚受芯料管压力改变的影响就不明显了;一般拉丝速度越快,直径就越小。由于红外玻璃原料中杂质S—H的含量对As-S红外光纤损耗的影响比较显著,因此应着力提高原料纯度,降低As-S红外光纤损耗,以实现As-S红外光纤的国内产业化。

近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究

本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级。通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果。提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体。

近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)

在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。

锥形光纤装置研究(英文)

基于锥形光纤制造过程的复杂性及其传像束的传输性能,利用微机与步进电机相结合,同时控制常用的双坩埚光纤拉丝机出丝管口的直径大小和鼓轮转速快慢,实现了数控拉制1m长锥形光纤的新方法,并且集束制作出了两种两端不同半径比的锥形光纤传像束.与常用的增大鼓轮体积的方法相比,该装置具有体积小,便于操作,两端半径比可自由控制,断丝率低等特点.分析了这两种锥形光纤传像束的模式损耗。

近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展

介绍了近化学计量比铌酸锂晶体的主要生长方法及其特点,总结了近化学计量比铌酸锂晶体的主要性能,通过与同成分铌酸锂晶体的比较,指出了近化学计量比铌酸锂晶体的主要应用优势,明确了该类晶体今后的研究重点。

半导体玻璃微通道板制造工艺研究

体电导半导体玻璃微通道板具有优异的性能,为了突破其制造工艺的技术难关,研究和分析了过程技术参数以及缺陷成因.以磷酸盐系统半导体玻璃和酸溶玻璃作为微通道板单纤维的皮料和芯料,在电炉中熔制得到玻璃纤芯及皮料的母棒,然后根据两种玻璃的性能及工艺参数,采用光纤自动成纤系统研究了适合双坩埚法单丝拉制的工艺.重点讨论了拉丝温度和速度、玻璃液位、气氛等关键因素对成纤过程和微通道板质量的影响.通过单丝和复丝的拉制,排丝、压屏、切割和酸溶等过程,最终获得了直径为20 mm,孔径为6-7μm,像素大于400万的体电导玻璃微通道板的雏形.

具有芯皮结构的As-S玻璃红外光纤

设计制作了氩气加压的硬质玻璃双坩埚拉丝装置,可拉制不同丝径和芯皮比的As-S和其它硫系玻璃红外光纤。当采用As_(30)S_(62)作芯料,As_(35)S_(65)作皮料,制得光纤数值孔径为0.5,在2.4μm波长处损耗为1.32dB/m。As-S芯皮结构光纤比芯体玻璃拉制的裸光纤损耗小。

化学计量比LiNbO_3晶体宏观生长缺陷的观察

本文对采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长的化学计量比LiNbO3晶体中出现的机械双晶、组分过冷、包裹体等宏观生长缺陷进行了观察和分析。结果表明机械双晶通常以{102}和{104}面族为双晶面,而不是以前文献报道的{102}和{012}面族;化学计量比LiNbO3晶体双坩埚提拉法生长与同成份晶体生长不同,前者是助熔剂生长体系,生长速度稍快或温度较小的波动就会导致组分过冷,而后者属于纯熔体生长体系,不容易产生组分过冷;包裹体是由于组分过冷生长时界面失稳夹入熔体所造成的。由于这些缺陷的存在都会严重影响单晶的获得率和质量,为此,我们通过大量实验研究后提出了可以减少和避免这些生长缺陷提高晶体质量的方法。

(Sr_(3-x)Eu_x)B_2O_6红色荧光粉发光性能的研究

红色荧光粉一直是发光材料领域研究的热点,硼酸盐红色发光材料具有稳定性好、合成容易等优点,越来越引起人们的关注。采用固相法在还原性气氛下制备了(Sr_3-x)Eu_x)B_2O_6系列红色荧光粉。荧光粉能被393nm和464nm的光有效激发,发射主峰位于606nm的红光,当铕离子的摩尔掺杂量为0.07时发光强度最大。用少量BaF2进行助溶时,有利于在较低的烧结温度下获得发光强度更高的荧光粉。

Nd^(3+):NaLa(WO_4)_2晶体的生长和光学性质(英文)

用双坩埚法从高温溶液里生长出线度达7 mm的Nd3+: NaLa(WO4)2晶体.扫描电子显微镜的观察结果表明,虽然在晶体冷却过程中经历了两个相变,但相变并未造成晶体开裂;样品的X射线衍射花样可以看出,所得晶体为纯低温四方相的Nd3+:NaLa(WO4)2．在室温下对晶体的光吸收和光发射作了测量,发现晶体在804 nm有个半高宽达到23 nm的宽吸收峰．讨算出晶体在804 nm处的吸收截面为7．24×10-20 cm2,在1057 nm处的发射截面为6．54×10-20 cm2．

光纤传像束用硫系红外光纤研究进展

随着探测技术与光纤材料的发展,以及对红外波段探测需求的增长,推进红外光纤的研制愈加重要。硫系玻璃红外光纤透过波长可达25μm,可以弥补卤化物玻璃红外光纤透过范围仅到6μm的限制。硫系红外光纤由于其具备优良的近、中、远红外区透过性能和低声子能量、高三阶非线性系数、极高的拉曼增益系数及组分可调等优点,可满足红外波段的探测及多方面应用需求。从红外光纤传像束研制、硫系玻璃制备及除杂方法、硫系红外光纤的制备及拉制方法等方面,系统介绍了红外光纤传像束、硫系玻璃及硫系红外光纤的国内外研究进展。基于红外光纤损耗的构效关系,指出目前相关领域存在的问题及今后的发展趋势,以期给未来光纤传像束用硫系红外光纤的研发及应用提供参考。