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PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用
被引量:
2
1
作者
曾天亮
陈平
+1 位作者
江志庚
李志彭
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期386-390,共5页
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以...
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3%)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.
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关键词
SiON膜
PECVD沉积
双层互连工艺
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职称材料
题名
PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用
被引量:
2
1
作者
曾天亮
陈平
江志庚
李志彭
机构
中国科学院上海冶金研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期386-390,共5页
文摘
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3%)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.
关键词
SiON膜
PECVD沉积
双层互连工艺
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用
曾天亮
陈平
江志庚
李志彭
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
2
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