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PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用 被引量：2
1
作者 曾天亮 陈平 +1 位作者 江志庚 李志彭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期386-390,共5页
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以... 我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3％)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用. 展开更多
关键词 SiON膜 PECVD沉积 双层互连工艺
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