Ta_2O_5介质膜和Ta_2O_5-SiO双层介质膜绝缘特性的实验研究

本文介绍了采用直流磁控反应溅射沉积的Ta_2O_5介质膜及由用同样方法沉积的Ta_2O_5膜和电阻式蒸发沉积的SiO膜组成的双层介质膜的绝缘特性。

双层膜垂直磁记录介质的噪声

通过频谱分析和MFM观察，研究了双层膜垂直磁记录介质的噪声源。双层膜介质噪声分为起因于垂直磁化层和软磁性衬底层的两种噪声。一般认为，前者显示准白型固有噪声频谱，与单层薄膜介质相同的位间反磁畴为噪声源；后者是与随记录密度增加的纵向记录介质一样的过渡性噪声，但固有噪声频谱包含超低频成份。要实现双层膜介质的低噪声化，除减少垂直磁化层引起的噪声外，还必须降低软磁性衬底层引起的噪声。通过改变制作软磁性衬底层的条件，可降低衬底层引起的噪声。

双层膜垂直磁记录MR头读出过程的理论分析

从理论上分析了双层膜孤立垂直磁化ＭＲ头的读出过程。结果发现，若采用双层膜垂直磁记录介质与ＭＲ头相耦合使用，则可实现比单层膜垂直磁化介质记录更高的记录道密度。这有利于提高记录面密度。