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新型双层外延水平沟道恒流二极管结构的优化研究
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作者 马飞 贵向泉 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第4期258-263,273,共7页
利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件研究了恒流二极管水平沟道结构对器件恒流值(IH)、夹断电压(VP)、阻断电压(VR)及恒流值温度稳定性的影响。提出了一种新型双层外延水平沟道恒流二极管器件结构,降低了沟道两侧峰值电场强度。研制出... 利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件研究了恒流二极管水平沟道结构对器件恒流值(IH)、夹断电压(VP)、阻断电压(VR)及恒流值温度稳定性的影响。提出了一种新型双层外延水平沟道恒流二极管器件结构,降低了沟道两侧峰值电场强度。研制出的样品的电参数和温度稳定性得到了改善。 展开更多
关键词 恒流二极管 沟道结构 双层外延 结构设计 工艺优化
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双层外延材料参数的选择
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作者 金德霖 《微电子技术》 1997年第4期50-53,共4页
关键词 双极型 双极晶体管 双层外延材料
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碳化硅衬底上外延双层石墨烯的电输运性质 被引量:1
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作者 胡聚罡 贾振宇 李绍春 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期204-210,共7页
石墨烯是低维材料领域研究的热点,在这一体系中研究发现了诸多新奇的量子现象,深入理解石墨烯的电输运性质对于其在未来电子学器件中的应用具有重要的意义.本文通过热分解的方法在SiC单晶衬底上获得外延的双层石墨烯,并系统研究了其电... 石墨烯是低维材料领域研究的热点,在这一体系中研究发现了诸多新奇的量子现象,深入理解石墨烯的电输运性质对于其在未来电子学器件中的应用具有重要的意义.本文通过热分解的方法在SiC单晶衬底上获得外延的双层石墨烯,并系统研究了其电输运性质.在小磁场范围内观测到弱局域化效应,并在较大的磁场区间发现了不饱和线性磁阻.通过角度依赖的磁阻测量,发现该线性磁阻现象符合二维体系的磁输运特征.还在平行场下观测到了负磁阻效应,可能是由双层石墨烯的转角莫尔条纹导致的局部晶格起伏导致的.本文工作加深了对于外延生长的层间具有一定转角的双层石墨烯的电输运性质的认识. 展开更多
关键词 外延双层石墨烯 磁电阻 负磁阻 扫描隧道显微镜
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自由集电极电位纵向PNP晶体管的制作工艺研究
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作者 吴清鑫 《科技资讯》 2010年第33期61-61,63,共2页
自由集电极电位纵向PNP器件是双极型集成电路工艺中的一种重要器件,具有较大的放大倍数,较高工作特征频率等特点,但按照正常双极工艺制作的纵向晶体管存在基区宽度难以控制、集电极电阻偏大等问题。通过采用N阱技术和双层外延技术,不仅... 自由集电极电位纵向PNP器件是双极型集成电路工艺中的一种重要器件,具有较大的放大倍数,较高工作特征频率等特点,但按照正常双极工艺制作的纵向晶体管存在基区宽度难以控制、集电极电阻偏大等问题。通过采用N阱技术和双层外延技术,不仅可以增强器件制作工艺的可控性,而且可大大减小纵向晶体管的集电极电阻,从而提高器件的输出功率。 展开更多
关键词 自由集电极电位纵向PNP晶体管 N阱技术 双层外延技术
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低导通压降和低反向漏电流碳化硅肖特基二极管的研究 被引量:1
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作者 季益静 《集成电路应用》 2021年第2期1-3,共3页
提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器... 提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器件的开启阈值电压,利用碳化硅等离子干法刻蚀技术形成深沟槽,在此基础上离子注入形成的深P+结,可以在反向阻断时较好的屏蔽肖特基金属表面的电场强度,从而降低器件的反向漏电流。双外延的引入则大大降低了P+结之间的沟道电阻,提升器件整体导通性能。 展开更多
关键词 碳化硅肖特基二极管 Silvaco 势垒高度 双层外延 沟槽
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High-temperature interface superconductivity in bilayer copper oxide films by pulsed laser deposition 被引量:1
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作者 Jia-hao Deng Tian-shuang Ren +4 位作者 Le-le Ju Hong-rui Zhang Ji-rong Sun Bao-gen Shen Yan-wu Xie 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2020年第1期128-135,共8页
In a seminal work, Gozar et al. reported on the high-temperature interface superconductivity in bilayers of insulating La2Cu O4 and metallic La2-xSrxCuO4(x=0.45). An interesting question to address is how general and ... In a seminal work, Gozar et al. reported on the high-temperature interface superconductivity in bilayers of insulating La2Cu O4 and metallic La2-xSrxCuO4(x=0.45). An interesting question to address is how general and robust this interface superconductivity is. In the past, the cuprate bilayers were grown in a unique atomic-layer molecular beam epitaxy system, with a Sr doping range of x≤0.47, and the atomically flat interface was thought to be indispensable. Here, we have fabricated bilayers of La2CuO4 and La2-xSrxCuO4 by pulsed laser deposition. We have tried to extend the nominal doping range of Sr from the previous maximum of 0.47 to the present1.70(the nominal Sr content in the targets). X-ray diffraction result indicates that our La2-xSrxCuO4 films with x≤0.60 have very high crystalline quality;but the film crystalline structure degrades gradually with further increasing x, and finally the structure is fully lost when x reaches 1.40 and higher. Although the film quality scatters dramatically, our experiments show that there exists superconductivity for bilayers in nearly the entire over-doped Sr range, except for a non-superconducting region at x^0.80. These observations demonstrate that the interface superconductivity in copper oxides is very general and robust. 展开更多
关键词 CUPRATE SUPERCONDUCTIVITY interface pulsed laser deposition high temperature superconductivity
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