双层氮化硅膜晶体硅太阳能电池

用Centrotherm管式PECVD设备,使用新型双层氮化硅膜沉积工艺,并对该工艺进行优化,使电池效率得到提升。

双层PECVD氮化硅膜晶体硅太阳电池

利用管式PECVD在太阳电池片上沉积双层折射率和厚度均不同的SiNx:H薄膜。这种双层SiNx:H薄膜是采用2个不同的硅烷氨气流量比在1次沉积过程中获得的,其第1子层(靠近硅片)具有较高的折射率和较薄的厚度,而第2子层具有较低的折射率和较厚的厚度。椭圆偏振测厚仪、微波光电导衰退(μ-PCD)以及I-V特性等的测试结果表明,这种折射率变化的双层SiNx:H薄膜,相比折射率单一的单层SiNx:H薄膜,具有更好的表面钝化效果,其所钝化的单晶硅太阳电池,光电转换效率可以绝对提高0.2%以上,而且在1个月内没有发生明显衰减。

双层SiN_x膜多晶硅太阳电池抗PID性能研究

以双层Si Nx膜多晶硅太阳电池为研究对象,通过调整PECVD工艺参数制备不同折射率和厚度的双层氮化硅减反射膜太阳电池,并用玻璃、EVA和背板等将电池片封装成光伏组件,进行85℃、85%RH条件下组件电势诱导衰减(PID)实验。研究结果表明:(1)改变内层折射率和厚度保持外层较低的折射率时,双层氮化硅膜太阳电池均会发生严重的PID效应;(2)但随着外层折射率提高,电池PID效应显著减小,外层折射率≥2.15的电池PID实验600 h功率衰减小于5%;(3)双层氮化硅膜抗PID太阳电池的转化效率略低于普通太阳电池,但其组件的封装损失较小,与普通电池的组件功率相当,因此具有很好的应用前景。