双层锰氧化物薄膜中的应力效应

双层钙钛矿结构的La2 - 2XSr1 +2XMn2 O7(X =0 .32 )单相薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上 .测量发现 ,两种衬底上生长的La2 - 2XSr1 +2XMn2 O7(X =0 .32 )薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM -I及其他物性 .界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果 .在衬底的压应力下 ,薄膜的电阻—温度曲线的峰值 (TM -I)向高温移动且电阻率 ( ρ)下降 ;相反 ,对于衬底张应力下的薄膜 ,TM -I下降ρ上升 .这些结果可以用双交换模型做很好的解释 .

双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质

用脉冲激光沉积 (PLD)方法成功地制备了双层钙钛矿结构的La2 - 2xSr1 + 2xMn2 O7(x =0 32 )单相薄膜 .这种薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上 .测量发现 ,两种衬底上生长的La2 - 2xSr1 + 2xMn2 O7(x =0 32 )薄膜具有迥然不同的金属 绝缘体转变温度TM -I及其他物性 .界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果 .在衬底的压应力下 ,薄膜的电阻 温度曲线的峰值 (TM -I)向高温移动且电阻率 (ρ)下降 ;相反 ,对于衬底张应力下的薄膜 ,TM -I下降 ρ上升 .这些结果可以用双交换模型做很好的解释 .