含双层GST的低功耗CRAM存储元结构设计

基于热场分析,在CRAM存储元传统结构的加热层和底电极之间插入一层存储介质GST,设计出含双层GST的CRAM存储元结构。在模拟存储元热场分布过程中引入热辐射边界条件,使模拟结果更接近实际。根据设计要求,将双层GST新型结构与传统结构的热场进行比较,结果表明,含双层GST的新型结构一方面实现了存储元与CMOS晶体管的热兼容,增强了器件的稳定性;另一方面,将reset电流减小到0.5 mA,降低了器件功耗。