双层SiN_x∶H减反膜多晶硅太阳电池及其组件性能研究

利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx：H薄膜，其中底层和顶层SiN；折射率分别为2．35和2．01，膜厚为17nm和67nm。薄膜的折射率通过改变反应气体的Si／N比进行调控，底层SiN，制备时Si／N比越大，反射率越低，而电池Jsc先增加后下降。反射率曲线、外量子效率（EQE）和电学性能表明，和单层膜相比，双层膜的短波部分（300—650nm）反射率远低于单层膜；其电池在680～950nm波段光谱响应较单层膜稍好；电池Uoc和Isc均有较大提升，光电转换效率绝对值提高了0.193％。同时，双层膜电池组件的封装功率损失略低于单层膜电池组件。

退火工艺对SiN膜及SiO_2/SiN双层膜钝化特性的影响

针对硅太阳电池的背表面钝化，研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2／SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性．通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命，发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火，而SiO2／SiN双层膜则比较适合在600—700℃之间的温度下进行常规炉热退火．对SiN膜进行链式炉热退火实验表明，低温（700—850℃）条件下表面钝化效果最好．