反向偏压下的异质结聚合物电致发光机理分析

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管 ,其中PDDOPV是一种空穴型聚合物材料而PPQ是一种电子型聚合物材料 .该器件在正反向偏压下均可发光 .在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射 .蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加 .提出了加速电场的概念 ,并在此基础上从理论上分析了蓝光强度与黄光强度的比值随反向偏压的增加而增加的发光机理 ,指出了决定这一比值的主要因素 .

硅纳米结构中硅空位缺陷引发的双峰蓝光发射

报道了在硅纳米结构中 4 1 7nm和 4 36nm双峰结构的蓝光发射的实验和理论研究结果 .制备了四种包含和没有包含β SiC纳米晶粒的硅纳米结构 ,观察到了 4 1 7nm和 4 36nm的双峰蓝光发射 .光致发光谱的分析和微结构的观察揭示了蓝光发射与硅纳米结构中过剩硅缺陷中心的存在有关 .计算了由过剩硅原子形成的含有硅空位缺陷的纳米晶粒的电子能级 ,发现计算所得的态密度的特征与观察到的双峰发射吻合 .这项工作提出了在许多硅纳米结构中存在 4 1 7nm和 4

X射线激发NaGdF_(4):Tb^(3+),Eu^(3+)的光谱及能量传递性质研究

采用溶剂热法合成了Tb^(3+)-Eu^(3+)共掺杂的NaGdF_(4)纳米晶,透射电镜显示所得样品是半径为7.24~9.92 nm的类球形颗粒,X射线衍射分析其为六方相的NaGdF_(4),X射线激发下的发射光谱表明,Tb^(3+)和Eu^(3+)的掺杂比例对材料发光性质有明显影响,并进一步探讨了Tb^(3+)→Eu^(3+)的能量传递过程。当15%Tb^(3+)与9%Eu^(3+)共掺杂时,616 nm处的红光发射最强,此时Tb^(3+)→Eu^(3+)的能量传递效率可达88.42%。最后对材料表面改性并耦合光敏剂,在X线激发下进行了仿体成像以及单态氧产生率测试,结果表明材料能够持续稳定产生单线态氧,并且其616 nm处发光强度足够穿透仿体实现靶向成像,因此材料在生物医学领域具有极大的应用潜力。