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国际主流光刻机研发的最新进展 被引量:38
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作者 袁琼雁 王向朝 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2007年第1期57-64,共8页
介绍了65nm和45nm节点国际主流光刻机的最新研发进展,重点分析了目前提高光刻机性能的关键技术,讨论了目前各公司的主流机型及其性能参数,最后简要介绍了下一代光刻技术的研究进展。
关键词 光刻机 双工件台技术 偏振光照明 折反式物镜 浸没式光刻 下一代光刻
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