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国际主流光刻机研发的最新进展
被引量:
38
1
作者
袁琼雁
王向朝
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2007年第1期57-64,共8页
介绍了65nm和45nm节点国际主流光刻机的最新研发进展,重点分析了目前提高光刻机性能的关键技术,讨论了目前各公司的主流机型及其性能参数,最后简要介绍了下一代光刻技术的研究进展。
关键词
光刻机
双工件台技术
偏振光照明
折反式物镜
浸没式光刻
下一代光刻
原文传递
题名
国际主流光刻机研发的最新进展
被引量:
38
1
作者
袁琼雁
王向朝
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2007年第1期57-64,共8页
基金
国家自然科学基金资助课题(60578051)
文摘
介绍了65nm和45nm节点国际主流光刻机的最新研发进展,重点分析了目前提高光刻机性能的关键技术,讨论了目前各公司的主流机型及其性能参数,最后简要介绍了下一代光刻技术的研究进展。
关键词
光刻机
双工件台技术
偏振光照明
折反式物镜
浸没式光刻
下一代光刻
Keywords
lithographic tools
dual-stage technology
polarized illumination
catadioptric lens
immersion lithography
next generation lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
国际主流光刻机研发的最新进展
袁琼雁
王向朝
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2007
38
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