第二类狄拉克半金属NiTe2的合成及其物理性质研究

主要介绍了第二类狄拉克半金属NiTe2的合成和传输性质研究.发现NiTe2在低温(T=2 K)、强磁场下(B=9 T)的磁电阻达1 300%.另外,其电阻率-温度曲线在低温下表现出磁场诱导的金属绝缘体转变.进一步的霍尔效应测量发现NiTe2在低温下表现出双带行为.这些物理性质都表明NiTe2很可能是一种新型的第二类狄拉克半金属材料.因此,该材料为拓扑材料物性研究和新型拓扑材料的发现提供了新的载体与依据.