A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。

P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响

在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.