增强型AlGaN/GaN/AlGaN双异质结槽栅HEMT研究

为了在获得高击穿电压的同时实现增强型器件,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结HEMT进行了栅槽刻蚀,得到阈值电压为0.6 V的增强型HEMT。对器件特性的变化机理进行了分析,发现刻蚀引入的陷阱态使器件的击穿性能降低。采用变频电导法,定量研究了反应离子刻蚀在AlGaN/GaN/AlGaN双异质结HEMT中引入的陷阱态。研究表明,刻蚀工艺在双异质结HEMT中引入了大量的浅能级陷阱,这些陷阱的能级主要分布在0.36～0.40 eV。

一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT

为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(PGaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构。该器件的阈值电压高达3.4V,击穿电压达738V。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压。结果表明,栅槽深度在5~13nm范围内变化时,阈值电压随栅槽深度的增大而增大,击穿电压随栅槽深度的增大呈先增大后略减小;导通电阻随槽栅深度的增大而增大,最小导通电阻为11.3Ω·mm。

一种新型的扩散条型激光器

西德通用电气德律风根公司最近制作了一种新型的扩散条型半导体激光器——V 型槽激光器。器件结构如图1所示。与普通的双异质结激光器相比,V 型槽激光器在 P—GaAlAs 层上多一层 n—GaAIAs 层。顶层为 n—GaAs。各层均在(100)GaAs 衬底上用液相处延方法生长而成。然后在(100)面上沿一定方向腐蚀顶层而得 V 型槽。用 Zn 扩散就形成了通过顶层和 n 型 GaAIAs 层的 P