-
题名一种基于双忆阻的SOFM神经网络系统设计研究
- 1
-
-
作者
文常保
刘达祺
朱玮
全思
茹锋
-
机构
长安大学电子与控制工程学院微纳电子研究所
-
出处
《微电子学与计算机》
2022年第5期111-117,共7页
-
基金
国家自然科学基金(61704010)
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2020JM-238,2021JM-184)。
-
文摘
基于双忆阻结构阻值可线性调节的特点,提出了一种基于双忆阻的SOFM神经网络系统设计方案.该方案由预处理模块、双忆阻权值模块、欧式距离运算模块、神经元决策模块和忆阻权值更新模块组成.双忆阻权值模块由双忆阻单元和放大单元构成,双忆阻单元由两个结构相同、掺杂区相连的忆阻器构成.相对于单忆阻器结构,双忆阻由于总阻值可以保持不变,能够实现忆阻阻值的线性调整.欧式距离运算模块由减法电路、平方电路、加法电路构成,可以计算输入电压信号与权值电压信号之间的欧式距离,从而为神经元决策模块提供决策依据.通过调节电压信号控制双忆阻权值模块的权值电压,可以完成SOFM神经网络的训练和测试.根据该方案进行了一个聚类实验,实验结果表明所设计的神经网络系统可以实现忆阻器阻值在0.7kΩ~1.1kΩ范围内,权值电压在0.55 V~0.85 V范围内的调节.实现了将10个训练样本聚类为8种情况,并将8个测试样本聚为4类,与SOFM神经网络算法的测试结果一致,由此验证了所设计电路的有效性.
-
关键词
SOFM神经网络
忆阻器
双忆阻结构
权值电压
-
Keywords
SOFM neural network
memristor
double memristor structure
weight voltage
-
分类号
TN60
[电子电信—电路与系统]
TP183
[自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
-