基于核磁共振双截止值的致密砂岩渗透率评价新方法

对比分析致密砂岩岩心在完全含水状态和束缚水状态下的核磁共振T2谱,明确了致密砂岩孔隙中流体的赋存状态和渗流规律,指出常规核磁共振方法预测渗透率的局限性并提出核磁共振双截止值的概念.基于核磁共振双截止值,将储集空间细分为完全可动、完全束缚、部分可动等三部分,分析不同孔隙组分对渗透率的影响,并应用三组分法建立了核磁共振渗透率表征新模型.研究表明:致密砂岩渗透率与完全可动流体饱和度、部分可动流体T2几何平均值、核磁孔隙度成正比,与完全束缚流体饱和度成反比.在此基础上,结合完全含水核磁共振T2谱的二阶差分得到了双截止值的自适应确定方法,可以连续地计算储层双截止值.将该研究成果应用于生产实践,渗透率计算精度有较大的提高.

关于双阀瓣截止阀的设计

截止阀是安装于管道上的用于止放管道内介质的常用装置,为了便于阀门开启和关闭,常用的截止阀的介质流向一般是低进高出,即自阀瓣底部的进液口向上通过阀瓣所在的阀体开关孔后流入出液口,但此种介质流向对于高压和口径较大的阀门来说至少存在两个问的实用新型专利证书,其专利号为:ZL201020254458.7。该产品可广泛应用于石油、化工、电力、水暖、建筑等行业。

降低紫外及近红外透过率钠钙玻璃制备与性能研究

本文采用本体掺杂结合纳米镀膜的方法,在保证一定可见光透过率的前提下,首先在钠钙硅玻璃体系中掺入稀土与金属氧化物,熔制紫外及近红外强吸收的玻璃基片,研究CeO2、TiO2、Fe2O3和SnO掺杂量对玻璃的紫外和近红外透过率的影响;然后,在此基片表面镀制纳米级F∶SnO2薄膜,探索不同镀膜工艺参数下,玻璃光学、电学及表面微观结构等性能的相互影响。通过不断尝试和调整工艺参数,最终制得紫外线透过率≤5%,近红外线透过率≤20%的基片,并且保持了较好的可见光透过率。

3300 V FS型IGBT器件研制

基于现有仿真及工艺平台,设计一款3 300V/50A场截止型绝缘栅双极晶体管器件(FS-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低导通状态的饱和压降。采用二维数值仿真主要研究了FS结构以及P^+集电极掺杂参数对器件性能的影响,通过参数拉偏仿真,重点分析了FS层和集电极P区注入剂量对器件参数的影响,确认了最佳的工艺窗口条件。通过合作方工艺平台对最终的结构进行了加工,最终测试结果显示IGBT器件通态压降为2.8V,击穿电压大于4 250V,关断损耗37mJ,开通损耗50mJ。

3300 V-FS-IGBT击穿特性及其相关工艺的研究

对于3300 V高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件,因其衬底电阻率非常高,在场限环、场板、场限环+场板、结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)、横向变掺杂(Variation of Lateral Doping,VLD)、场限环+多级场板等众多提升耐压的方案中,场限环+多级场板是最切实可靠的方案。基于现有的3300 V场截止型(FS)IGBT平面工艺制造平台,采用场限环+多级场板结终端结构,TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真发现场板厚度的增加,其击穿电压也随之增大。将此TCAD仿真设计方案通过不同场板厚度分组试验进行流片验证,击穿电压大于3300 V。但随着场板厚度增加,其翘曲度也跟着相应增加,为此进行了正反面膜质淀积后回流工艺优化,翘曲度显著减少,与场板厚度弱相关,满足了设计要求,实测值与仿真值相吻合。