YVO_4双折射晶体生长及完整性分析

在较低氧分压的保护气氛中用提拉法 (CZ法 )生长YVO4晶体 ,采用自行设计的气压计 ,精密调节炉内的氧、氮比例 ,有效防止了晶体生长中的过度缺氧 ,生长出33mm× 31mm(等径 )YVO4晶体。设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件 :转速 5～ 10r/min ,拉速 :2～ 6mm/h ,生长周期 :2 4h ,液面上 8mm温度梯度 2 .875℃ /mm。用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察 ,认为它们的成因主要是生长速率过快 ,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等。