Dy^(3+)/Eu^(3+)双掺杂CaLaGa_(3)O_(7)颜色可调荧光粉的制备与发光性能

本文采用高温固相法成功制备了一系列Eu^(3+)单掺和Dy^(3+)/Eu^(3+)双掺CaLaGa_(3)O_(7)单基质荧光粉。通过X射线衍射和发射光谱对荧光粉的物相及发光性能进行了表征。结果表明,所制备的样品均为四方结构,与基质晶体一致,表明成功合成了Eu^(3+)单掺和Dy^(3+)/Eu^(3+)双掺杂的CaLaGa_(3)O_(7)荧光粉。在波长393 nm近紫外光激发下,Eu^(3+)∶CaLaGa_(3)O_(7)表现出Eu^(3+)的特征红光发射(5 D0→7 F2),并且发光纯度高达100%。共掺Dy^(3+)之后,Dy^(3+)/Eu^(3+)双掺CaLaGa_(3)O_(7)荧光粉不仅可以被波长393 nm的光激发还可以被波长348 nm的光激发。不管是哪个波长的光激发,Dy^(3+)/Eu^(3+)∶CaLaGa_(3)O_(7)发射光谱同时包含了Eu^(3+)的特征红光发射和Dy^(3+)的特征黄光发射(4 F_(9/2)→6 H_(13/2))。通过对发射谱和荧光寿命分析得出,双掺荧光粉中Dy^(3+)和Eu^(3+)之间存在有效的能量传递过程。进一步计算了各个样品对应的色坐标,结果表明当激发波长由348 nm改变为393 nm时,色坐标整体上从黄绿色区域移动到黄橙光区域。因此,Dy^(3+)/Eu^(3+)∶CaLaGa_(3)O_(7)是一种光色可调发光材料,在显示和固态照明方面具有良好的应用前景。

氮、硫双掺杂荧光碳点制备及用于铁离子检测研究

目的建立基于荧光碳点快速检测铁离子的新方法。方法以邻苯二胺和Na_(2)SO_(4)为前驱体,采用水热法制备氮、硫双掺杂荧光碳点,对碳点的形貌、表面官能团以及光学性能等进行表征;同时制备了荧光碳点功能化纸基芯片,利用碳点的荧光淬灭实现铁离子快速检测。结果成功合成了氮、硫双掺杂荧光碳点,碳点的荧光强度与铁离子浓度在1×10^(-3)~20 mM范围内呈良好的线性关系(r^(2)=0.9812),检测限为0.066μM,血清加标回收率为99%~106%,RSD值小于4%;利用荧光碳点功能化纸基芯片,实现对铁离子的可视化检测。结论该方法简便、快捷,特异性好,对于开发成本低的铁微量元素检测方法具有重要参考价值。

F-Al双掺杂改性Li_(6.28-x)Al_(0.24)La_(3)Zr_(2)O_(12-x)F_(x)及其性能研究

为提高锂镧锆氧(LLZO)固体电解质的离子电导率和致密度,实现低成本的LLZO陶瓷制备,采用传统固相法制备了F^(-)和Al^(3+)双掺杂改性的固体电解质Li_(6.28-x)Al_(0.24)La_(3)Zr_(2)O_(12-x)F_(x)(LALZOF),并通过调节Al_(2)O_(3)和LiF的添加量以优化LALZOF陶瓷的离子电导率和致密度。SEM、PSD和XRD分析结果表明,F^(-)和Al^(3+)掺杂进入LALZOF中并稳定了立方相,且F^(-)可以降低LALZOF的粉体粒径尺寸。在高温烧结后,SEM、EDS、EIS和致密度测试结果表明,F^(-)对LALZOF陶瓷晶粒的发育具有促进作用,可以增加陶瓷的致密度,并提高锂离子电导率,且F^(-)均匀的掺入在LALZOF晶粒内;在F^(-)掺杂量为0.2 mol时具有最佳性能,致密度为86.28%,总离子电导率为4.30×10^(-4)S/cm。

Ag/S双掺杂优化Ag_(2)Te/PEDOT∶PSS热电薄膜性能研究

采用湿化学法制备了(Ag_(2+y) S)x@Ag_(2)Te/PEDOT:PSS,并利用真空抽滤法获得了(Ag_(2+y) S)x@Ag_(2)Te/PEDOT∶PSS复合薄膜。研究发现20 MPa冷压下,x=0.2(y=0.0)时,复合薄膜(Ag_(2)S)0.2@Ag_(2)Te/PEDOT∶PSS的Seebeck系数绝对值达到最大值-91.13μV/K,但其电导率仅为7.86 S/cm.为了进一步提高复合薄膜的电导率,在上述基础上调控Ag掺杂量。与y=0.0样品相比,y=0.2样品的电导率提高到17.89 S/cm(增加了127%),Seebeck系数绝对值略有下降。得益于电导率的大幅度提升,当y=0.2时样品的功率因子达到最大值11.13μW/mK 2,提高了1.7倍(与y=0.0样品相比),为碲化银基热电薄膜功率因子的提升提供有益参考。

氮硼双掺杂石墨烯负载磷化镍催化剂的表征及其加氢反应机理

采用水热法制备氮硼双掺杂还原氧化石墨烯(N_(4)B_(1)-rGO)载体,当磷化镍负载质量分数为20%时,分别以Al_(2)O_(3)、rGO、N-rGO和N_(4)B_(1)-rGO为载体,通过浸渍-热分解法制备20%Ni_(2)P/Al_(2)O_(3)、20%Ni_(2)P/rGO、20%Ni_(2)P/N-rGO和20%Ni_(2)P/N_(4)B_(1)-rGO催化剂。采用N 2吸附-脱附、FT-IR、XRD、SEM、TGA等手段对载体及催化剂进行表征,并以苯酚选择性加氢制备环己酮为反应体系评价4种催化剂的反应性能。结果表明:在反应温度160℃、反应压力0.5 MPa、反应时间4 h、催化剂用量0.3 g的条件下,20%Ni_(2)P/N_(4)B_(1)-rGO催化剂进行苯酚选择性加氢反应性能较好,苯酚转化率为72.36%,环己酮选择性达到61.06%;20%Ni_(2)P/N_(4)B_(1)-rGO催化剂具有介孔结构、较大的比表面积和良好的热稳定性,以及优异的催化活性和选择性,归因于Ni_(2)P在载体表面有较好的分散度和N_(4)B_(1)-rGO与Ni_(2)P间良好的协同作用。

酒糟细渣制备双掺杂多孔碳及其电化学性能研究

以废弃酒糟细渣为原料、KOH为活化剂制备具有优异电化学性能的蜂窝状结构的O、N双掺杂多孔碳。研究结果表明,当酒糟细渣与KOH的质量比为1∶3,热解温度为700℃时,制备的电极材料VPH-3-700性能最佳。电化学测试表明,VPH-3-700在0.2 A/g的电流密度下电化学比电容可达343.68 F/g,具有应用于高性能超级电容器的潜力。较高的比电容主要得益于样品的高比表面积(2396 m^(2)/g)以及具有电化学活性的杂原子官能团带来的赝电容。该研究内容为废弃酒糟的资源化利用提供新的思路。

关于具有双掺杂源漏的单晶体管同或门的研究

为优化传统可重构场效应晶体管以改善器件的正向电流参数,提出一种双掺杂源漏可重构场效应晶体管。该器件可作为突触器件应用于二值神经网络的同或操作中。器件通过对源区和漏区进行重掺杂使其与金属源漏电极之间形成势垒更窄的欧姆接触,从而使器件的正向电流得到大幅提高。通过分析器件的结构及工作原理,仿真并对比传统RFET和所提出的DDSD-RFET的转移特性曲线,结果表明双掺杂源漏的设计可以有效提高器件的正向电流,同时减少反向截止电流。

双掺杂协同Li_(3)PO_(4)包覆对超高镍正极电化学性能的影响

超高镍层状氧化物LiNi_(x)Co_(y)Mn_(z)O_(2)(x≥0.9,x+y+z=1)凭借高能量密度被应用于锂离子电池正极材料,但由于镍含量的增加导致其容量保持率和热稳定性会急剧劣化。采用共沉淀法制备了LiNi_(0.9)Co_(0.05)Mn_(0.05)O_(2)超高镍正极,再通过湿法混料结合高温固相法,将Ga^(3+)和Zr^(4+)掺入LiNi_(0.9)Co_(0.05)Mn_(0.05)O_(2)(NCM)的晶格内并在其表面形成磷酸锂(Li_(3)PO_(4))包覆,以克服其电化学性能的骤降。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高倍透射电镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)进行表征,结果表明,双离子掺杂协同表面包覆解决了正极材料Li+/Ni^(2+)混排及界面副反应等问题。在2.7~4.3 V电压范围和1C下循环200次,最佳改性量的样品NCMGZ@LPO_(2)容量保持率为83.5%,而NCM仅为64.5%。在4.5 V电压下,NCMGZ@LPO_(2)在0.2C/10C放电比容量分别为215.5/143.5 mAh/g,均高于NCM。

Ca、Ce双掺杂烧绿石型复合氧化物的合成及离子导电性能研究

O引言烧绿石结构(A2B2O7)非常近似于萤石结构,在一定程度上可以认为是缺阴离子的萤石结构,但是在未掺杂的烧绿石结构中,氧离子空隙是有序的,不会由此造成电子导电,一些氧离子可以离开自己的晶格位置占据空穴位置,产生离子导电[1].此外,烧绿石结构还是一种开放式结构,可以通过其他离子的掺杂,为氧原子、质子或电子的迁移提供空穴,或增大空穴浓度,从而提高离子导电能力[2].

双掺杂钙钛矿型复合氧化物La_(0.7)Sr_(0.3)Co_(1-x)M_xO_3的电性能研究

以开发新型激光器阴极材料和固体氧化物燃料电池阴极材料为目的 ,合成一系列钙钛矿型复合氧化物 La0 .7Sr0 .3 Co1- x Mx O3 ( M:过渡族金属元素 ) ,并对 Co位掺杂过渡族元素后样品的高温电阻率和热电动势进行研究 ,发现 Co位掺杂不同元素显著影响材料的电导率和导电类型 ,并对其相应的物理机制进行探讨 .

双掺杂铌酸锂晶体的生长及其光折变性质

采用提拉法以固液同成分配比（Ｌｉ２ＣＯ３／Ｎｂ２Ｏ５＝４８．６／５１．４）生长了Ｆｅ掺杂及（Ｚｎ，Ｆｅ）、（Ｍｇ，Ｆｅ）和（Ｃｅ，Ｆｅ）双掺杂ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）单晶。Ｃｅ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的质量，指数增益系数和衍射效率皆高于Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体。所测得（Ｚｎ，Ｆｅ）∶ＬＮ、（Ｃｅ，Ｆｅ）∶ＬＮ、（Ｍｇ，Ｆｅ）∶ＬＮ和Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体的抗光致散射能力分别为８．２×１０３，３．２×１０２，８．３×１０２和１．２×１０２Ｗ／ｃｍ３；在４８８ｎｍ光进行的光折变实验中还原处理后的（Ｃｅ，Ｆｅ）∶ＬｉＮｂＯ３晶体具有最高的二波耦合增益系数，为４０．２ｃｍ－１，其全息衍射效率可达８２．２％；实验结果表明（Ｚｎ，Ｆｅ）∶ＬｉＮｂＯ３和（Ｍｇ，Ｆｅ）∶ＬｉＮｂＯ３具有抗光散射能力强，响应时间短的特点，而（Ｃｅ，Ｆｅ）∶ＬｉＮｂＯ３的增益系数和衍射效率均为最高，明显优于Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体。

(S,Co)双掺杂TiO_2改性第一性原理

为提高TiO2晶体的光催化性能,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,研究了S和Co分别单掺杂和双掺杂锐钛矿TiO2的晶体结构、电子结构和光学性质.研究结果表明:原子替位掺杂后体系晶格畸变较小;禁带中杂质能级的出现使TiO2光吸收带边发生了明显红移,且在可见光区的吸收效率显著增加,大大提高了光催化效率.与单掺杂比较发现,(S,Co)双掺杂红移现象更加明显且在可见光区均有吸收,为较好的掺杂改性方式.该成果对实验合成性能较佳的TiO2具有较好的指导意义.

二极管泵浦双掺杂YAG微片自调Q激光器

利用激光二极管泵浦双掺杂YAG微片晶体,在连续泵浦时获得了重复频率为2.78kHz,脉冲宽度为6ns的自调Q激光输出。并通过预泵浦加脉冲调制电流的方法,实现可控重复率的自调Q脉冲输出。与外腔式自调Q微片激光器相比,这种一体化微片激光器具有更高的转换效率、更窄的输出脉冲宽度和更高的重复频率,同时结构更为简单紧凑,易于调整。

Co^(2+),Zn^(2+)双掺杂铌酸锂晶体的坩埚下降法生长及其光谱特性(英文)

在LiNbO3中掺入0.1%(摩尔分数,下同)的CoO与3%,6%的ZnO,采用坩埚下降法技术生长了双掺杂的Co2+∶Zn2+∶LiNbO3晶体。用X射线衍射与差热分析表征了获得的晶体。测定了晶体不同部位在350~2 500 nm波段的吸收光谱。研究表明:Co离子位于LiNbO3晶体的崎变的氧八面体中,呈现+2价,沿着生长方向Co2+在晶体中的浓度逐渐减少。ZnO的掺杂有效地抑制了Co2+离子在晶体中的掺入,使得Co2+在晶体中浓度的分布变得均匀。同时发现:ZnO的掺入使得上部晶体的熔点升高。从化学组分的角度解释了产生熔点变化的原因。观测到了750 nm波长的荧光发射带。

双掺杂聚合物电致发光中能量传递的光谱分析

将两种荧光染料掺杂到有机聚合物中,制作了双掺杂的电致发光器件ITOPVK:TPB:RubreneLiFAl,得到了聚合物与两种荧光染料之间的阶梯式的能量传递。当PVK作为能量给体,Rubrene为能量受体时,能量传递不是很有效。但通过研究共掺杂体系的发光性质,发现辅助染料TPB的加入,作为能量传递的桥梁,提高了能量传递的效率,从而增加了器件的色纯度。

双掺杂Bi_2O_3电解质的合成及其电性能测试

通过双掺杂氧化镝和氧化钨于氧化铋中,合成电解质并对其导电性进行测试。通过差热-热重来分析其热性能,确定其合成的烧结温度;并利用粉末X射线衍射对合成材料进行相分析,利用交流阻抗谱方法测试、计算试样的电导率。结果表明,烧结温度800℃时可得到具有高电导率相的立方相萤石结构的粉体,并无其它晶型出现。经计算,掺杂后的氧化铋电解质在700℃时电导率达18.7 S/m,比目前使用最普遍的电解质材料YSZ电导率在500℃时高1～2个数量级。

双掺杂La_(0.67+1.33x)Sr_(0.33-1.33x)Mn_(1-x)Mg_xO_3体系的磁性和输运行为

用标准的固相反应法制备了双掺杂La0. 67+ 1 .3 3xSr0 3 3 -1. 3 3xMn1-xMgxO3 (x =0. 0. 0 ,0 . 0 5 ,0 . 10 ,0 .15 ,0 .2 0 ,0 . 2 5 )多晶样品,研究了它们的磁性和输运行为。对x =0 .10和0 . 15 ,在温度高于TonsetC 时出现相分离;对x =0 .2 0和0 . 2 5 ,在低温区出现反铁磁行为。低掺杂样品ρT关系存在金属 绝缘体相变,高掺杂样品在测量温区内仅显示绝缘体行为。这些奇异现象用M H关系、ESR曲线和拉曼光谱给予了很好的解释。

Ca、Zn双掺杂的SmAlO_3基氧离子导体的合成及电性能

采用固相反应法合成一系列样品Sm0.9Ca0.1Al1-xZnxO3-δ(x=0,0.03,0.05)。利用X射线衍射和扫描电镜研究样品的结构、微观形貌和烧结性能,用交流阻抗谱测量Sm0.9Ca0.1Al0.97Zn0.03O3-δ在500～1 000℃的电导性能。结果表明:在1 650℃烧结24 h可以获得单相样品,Zn2+在B位的固溶度为3%～5%,样品的相对密度为92.3%。Ca、Zn双掺杂能大大提高样品的电导性能,800℃时总电导率为0.39 S/m,ln(σT)与1/T关系曲线呈一折线,高温电导活化能小于低温电导活化能,710℃以上的电导活化能为0.66 eV,710℃以下的电导活化能为1.18 eV。

B位双掺杂类钙钛矿化合物La_4BaCu_(5-x-y-)Co_xNi_yO_(13+δ)的制备

运用改进的柠檬酸络合自燃法合成高纯相的B位双掺杂钙钛矿化合物La4BaCu5-x-yCoxNiyO13+δ,采用DTA-TG,XRD,SEM,BET等基础性测试手段对其物相结构、显微形貌等相关物理化学性质进行了基本的表征分析,利用Treor,Retveld等晶胞精修软件对XRD测试结果进行处理,并得到了一些有意义的结果。

双掺杂铈基电解质材料的研究

主要针对掺杂Zr4+的CeO2基电解质材料进行研究,并引入了第二种掺杂离子Sc3+,以期望能进一步改善其电性能。分析了该两种元素不同掺杂比例对电解质的电导率、微观性质及热过程的影响,并对产生这些差异的原因进行了初步探讨。采用固相法制取双掺杂的CeO2基电解质粉体,并对其最佳条件做了详细的分析。实验结果表明:在微观性质方面,经XRD分析可知,Sc3+改善了ZrO2在CeO2的固溶情况;在电性能方面,应用交流阻抗谱法分析了双掺杂的CeO2基电解质,可知其电导率有一定程度的提高,并得出Sc3+∶Zr4+∶Ce4+在摩尔比为5∶25∶7时活化能最小,电导率最佳。