双施主掺杂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响

研究了Nb2O5和Y2O3双施主一次掺杂对PTC BaTiO3陶瓷性能的影响。探讨了Nb2O5和Y2O3的作用机制,结果表明:Nb2O5主要是起施主作用;而Y2O3既可作为施主,又可起受主作用。添加适量的Y2O3,不仅可以降低电阻率,还可以提高升阻比。另外,还对改变施主掺杂顺序所产生的PTC效果进行了比较,发现施主二次掺杂的效果不如一次掺杂好。

双施主掺杂BaTiO_3半导体陶瓷材料的研究

以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3+ Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。

双施主掺杂对高居里点PTC陶瓷性能的影响

在分别研究了Nb5+、Y3+掺杂对高温PTC陶瓷性能的影响后,得出结果:Y3+既可作为施主,又可起受主作用,还可以提高升阻比;Nb5+主要是起施主作用,但可以抑制Pb的挥发.为了能够使高温PTC陶瓷整体性能提高,因此结合Nb5+、Y3+各自的优点,用正交法对高温PTC陶瓷进行了双施主掺杂配方的试验,优选了最佳配方:Nb5+应该控制在0.06～0.08之间,Y3+控制在0.08～0.12之间较好.

双施主掺杂在高性能高温PTC制备中的应用

Nb2O5和Y2O3单施主掺杂对高温PTC性能均有一些不利的影响。设计了Nb2O5和Y2O3双施主掺杂的配方,分析Nb2O5和Y2O3掺杂量在不同比例下对材料性能的影响,得出结果:在制备高性能的高温PTC时,适当的施主掺杂总量和适当的Nb、Y掺杂配比,可以改变PTC的性能,另外还讨论了在该配方下的工艺方案。

La-Nb双施主掺杂BaTiO_3陶瓷的研究

采用固相法进行La2O3和Nb2O5两种施主添加剂复合掺杂(Ba1-xLa2x/3)(Ti1-xNb4x/5)O3陶瓷改性研究.研究结果表明,La-Nb双施主掺杂(Ba1-xLa2x/3)(Ti1-xNb4x/5)O3陶瓷烧结体晶相为准立方相.当x=0.05时,陶瓷烧结体内存在Ba6Ti17O40富钛的第二相.当x>0.2时,Ba3La3Ti5Nb5O30固溶体作为第二相析出.随着La-Nb双施主掺杂剂掺量的增加,晶粒尺寸减小,介电常数下降,介电常数随温度变化率降低,表现明显的移峰、展峰作用.

双施主对受主补偿的BaTiO_3系PTCR材料的影响

采用过剩施主二次掺杂法,研究双施主二次掺杂时两种施主相对比例不同对于BaTiO3材料性能的影响,发现过剩施主二次掺杂对受主杂质进行补偿比一次掺杂效果好,在相同掺杂量的情况下,可获得更大的PTC效应和更低的室温电阻率。采用Sb、Y过剩双施主对受主进行补偿,当双施主相对比例变化时,存在PTCR材料3α0°C=0.4°C-1的极大值。采用过剩双施主对受主进行补偿,可获得升阻比>7,温度系数3α0°C>0.3°C-1的PTCR材料,有效地降低原料成本。

双施主掺杂PTC陶瓷及其多层结构工艺研究

对BaTiO3 陶瓷进行双施主掺杂。分析了掺杂机理 ,优选了配方 ,并通过流延法制得0 5mm的陶瓷薄片。将这些薄片按不同数量堆叠在一起 ,在 2片之间 ,用欧姆电极连接。对这样形成的独石结构试样的电性能进行测试。最低室温电阻可达 0 6Ω ,而它的升阻比为 10 5以上 ,温度系数大于15。同时也测量了它的电流电压曲线。通过控制独石结构工艺 ,降低了BaTiO3

Bi_（12）SiO_（20）类晶体中全息图记录和读出的双施主模型

用双施主模型对Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）类光致折射晶体中全息图记录和读出的Ｋｕｋｈｔａｒｅｖ单施主模型进行了修正。并用以讨论了全息图的衍射率，得到一个描述衍射率的普遍公式。

液相Y、Nb共掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷的制备与性能

本文以Ba(OH)2.8H2O、Sr(OH)2.8H2O、TiCl4、NbCl5、YCl3和Mn(Ac)2为原料,采用室温研磨、低温固态反应合成了一系列的纳米钛酸钡基PTCR陶瓷粉,首先实现了Y和Nb双施主以离子的形式共掺杂。采用XRD,TEM对样品进行了表征。研究表明,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体。粒子基本成球形,分布均匀,粒径大约60 nm。通过优化Y和Nb的掺杂量,使材料的室温电阻得到了进一步降低,并提高了材料的升阻比。当Y、Nb和Mn的用量分别为0.2 mol%、0.18 mol%和0.04 mol%时,加入定量的AST烧结助剂,控制最高烧结温度为1310℃,制备出了室温电阻17.6Ω,正温度系数为18.6%/℃,升阻比为6.5×104的性能优异的PTCR电阻材料。另外还就烧结条件对材料PTC性能的影响进行了讨论。

掺杂对钛酸锶压敏陶瓷性能的影响

研究了施主掺杂和受主掺杂对SrTiO3压敏陶瓷材料微观结构和电性能的作用。研究结果表明,La、Nb进行双施主掺杂时按一定比例能获得较低的压敏电压;以La进行单施主掺杂,含量为1.2mol%时,压敏电压最低。双施主掺杂的压敏电压要高于单施主的电压。以CuO进行受主掺杂的效果要好于以MnCO3进行受主掺杂的效果。

La和Y掺杂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响

采用低温固相反应法(800℃)合成了一系列纳米掺杂BaTiO3基PTC瓷粉。经XRD分析,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体。分别研究了La和Y双施主掺杂以及烧结条件对材料PTC性能的影响,实验表明,以La和Y进行双施主掺杂可使材料的室温电阻进一步降低,升阻比提高。通过合理地调整双施主的相对含量,优化烧结制度,制备出了室温电阻为14.25?,升阻比达3.7×104的PTCR材料。

低电阻率、大升阻比BaTiO_3基PTCR陶瓷材料

研究了Sb2O3和Ta2O5双施主掺杂对低电阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影响。在Sb2O3和Ta2O5的摩尔分数分别为0.1%和0.01%时,得到了室温电阻率为4.59 Ω·cm,升阻比为3.4的优质PTCR陶瓷材料。通过XRD 、SEM显微结构分析;复阻抗测试,估计晶粒和晶界电阻值,探讨了Sb2O3和Ta2O5的作用机制。

La_2O_3和Nb_2O_5掺杂对SrTiO_3氧敏特性及半导化影响

研究Nb和La双施主掺杂对SrTiO3陶瓷氧敏性能及半导化的影响,采用固相法合成了La、Nb复合掺杂的钛酸锶Sr1-xLaxTi1-xNbxO3(x=0,0.001,0.01,0.03,0.05,0.1)钙钛矿复合系氧化物。研究不同的La,Nb掺杂量对氧敏材料灵敏度、电导率的影响,对合成氧敏元件在高温下的氧敏性能、电导性进行了测定。结果表明,双施主掺杂不仅可促进SrTiO3陶瓷半导化,而且对氧敏元件灵敏度有重要影响,x=0.3时呈现出理想的氧敏特性。

读出光对BSO类晶体中运动全息图衍射率的影响

研究了读出光对BSO类晶体中运动全息图衍射率的影响 .指出读出光对BSO类晶体中运动全息图的衍射率有显著的降低作用 .

掺杂、扩散、离子注入工艺

0105840金属离子注入技术的研究及其应用[刊]/李中岳//真空电子技术.—2000,(6).—50-51(C) 0105841IC 离子注入工艺的薄层电阻等值图监控[刊]/周全德//微电子学.—2000,30(6).—410～414(D)主要介绍了测试薄层电阻等值图所反映出 IC