采用低温PL谱研究探测器级CdZnTe晶体

采用低温光致发光谱技术研究了核辐射探测器用高阻CdZnTe晶体。发现PL谱中的三个特征峰均与晶体质量有关,其中(D0,X)峰FWHM值和I DAP/I(D0,X)与晶格完整性和浅能级缺陷密度有关联,D2峰则与位错密度密切相关。采用双晶X射线摇摆曲线和位错腐蚀坑密度对此表征进行了验证。低温PL谱测试结果显示晶体质量较高的CdZnTe晶片,其探测器的能谱分辨率也相对较高。

Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体生长及结晶质量评价

采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为＋30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量，结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构，半峰宽为47．2arcsec，结晶质量良好。采用化学腐蚀方法显示了晶体中的多种缺陷，包括位错，Te夹杂和孪晶。采用光学显微镜，扫描电镜和X射线能谱仪对缺陷形态和分布进行了研究。结果表明，晶体中位错密度在10^5～10^6cm^-2之间。晶体局部存在％夹杂相，尺寸为1-5μm。晶体中孪晶主要以共格孪晶存在。并提出了缺陷形成的原因和减少缺陷的方法。

水热法合成Ga/Sc共掺氧化锌晶体

采用水热法,以氧化锌陶瓷为原料,4 mol/L KOH+1 mol/L LiOH作矿化剂,温度380℃,内填充度为75%制备了Ga/Sc共掺氧化锌晶体。结果显示:生长的Ga/Sc共掺氧化锌晶体呈六棱柱状,整个晶体表面基本光滑平整。负极面-c(0001)大面积显露,双掺后的氧化锌晶体形态存在明显的改变。通过超声波扫描显微镜(C-SAM)观察,晶体存在一定数量的生长缺陷。X射线双晶摇摆曲线得出(0002)面半高宽FWHM为28 arcsec,(0002)面半高宽FWHM为46 aresec,表明晶体具有较高的结晶质量。另外,紫外-可见-红外光谱仪测试发现Ga/Sc共掺氧化锌晶体透过率介于氧化锌晶体和掺镓氧化锌晶体之间。