双有机取代基TGS系列晶体的研究

本文采用水溶液缓慢降温法生长了 4种双有机取代基TGS系列晶体。双有机取代基分别为L α 丙氨酸 +乙酸 ,L α 丙氨酸 +丙酸 ,L α 丙氨酸 +乳酸 ,L α 丙氨酸 +异丙醇胺。系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等 ,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高。并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制 ,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素。

稀土和双有机取代基TGS晶体生长和性能研究

选择稀土离子Ce3+、Nd3+、Eu3+作为掺杂阳离子,采用水溶液降温法生长了7种双有机取代基TGS晶体。研究了其晶胞参数、主要的热释电和铁电性能参数。发现这几种掺杂TGS晶体的品质因子有了提高。

光学晶体、液晶

O734 2001021373GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱=Rutherford backscatterng and channeling,doublecrystal X-ray diffraction and photoluminescenceof GaN[刊,中]/姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益(南昌大学材料科学研究所.江西,南昌(330047))//半导体学报.—2000,21(5).-437-440采用卢瑟福背散射沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试。它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致。图4表1参11(李瑞琴)