用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计

偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大器偏置工作点的目的。基于JAZZ 0.35μm SiGe工艺,采用该新型双有源偏置技术,设计了一款LNA。在1.8～2.2GHz频带时,放大器的增益为22.03±0.46dB,噪声系数小于3.7dB,2.0GHz时的输入3阶交调点(IIP3)为5dBm,相对于传统无源偏置的LNA提高了10dBm。仿真验证了该新型有源偏置技术对提高LNA线性度的有效性。