高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制

设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N-EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N-EAM。脊波导长度为250μm,宽度为2.5μm的D-EAM在-3V偏压下电容为0.225pF,对应的调制带宽估算为28.3GHz;1 550nm输入波长条件下,D-EAM在偏压为-1V至-2V之间调制效率最大,达到10dB/V,而-3V、-6V下的调制深度分别为22dB和26dB,满足40Gbit/s光纤通信要求。

RGB三色垂直排列的全色无荧光粉等离子体显示器

本文介绍一种双衬底器件。在这种器件中,以与导体相同的间距在每块衬底上制备介质条,组装时使介质条交叉。在700Hz的持续脉冲驱动下,这种器件显示出非常好的存贮特性。这一结果表明,在高频驱动下这种器件可获得足够的灰度级。

单片集成电吸收调制分布反馈激光器

提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用于规模化生产。