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基于0.5μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究
1
作者 刘允 赵文彬 《电子与封装》 2007年第9期22-25,共4页
将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层... 将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试,可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn>23V~25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。 展开更多
关键词 高压MOS器件 低压MOS器件 0.5μm cmos工艺 工艺兼容技术
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荷兰特温特大开发出与CMOS技术兼容的纯硅光源
2
《新材料产业》 2017年第12期69-70,共2页
对于硅光子而言,硅基全光集成电路需要光源。目前,混合光源可选用III—V半导体作为光源,但是将III—V半导体光源与硅基电路集成需要复杂的键合工艺、或生长工艺。当前研究人员还开展硅一锗片上光源的研究,通过对锗进行应力一应变工... 对于硅光子而言,硅基全光集成电路需要光源。目前,混合光源可选用III—V半导体作为光源,但是将III—V半导体光源与硅基电路集成需要复杂的键合工艺、或生长工艺。当前研究人员还开展硅一锗片上光源的研究,通过对锗进行应力一应变工程调控,使其辐射出激光。 展开更多
关键词 半导体光源 cmos技术 纯硅 兼容 开发 荷兰 光集成电路 键合工艺
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CMOS兼容高Q值微机电系统悬浮片上螺旋电感 被引量:7
3
作者 卢冲赢 徐立新 +2 位作者 李建华 付博 欧修龙 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期634-639,共6页
利用微机电系统(MEMS)表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因... 利用微机电系统(MEMS)表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因素,显著提高了片上螺旋电感Q值.采用电磁场有限元分析软件HFSS对该电感模型进行了仿真研究,完成了悬浮片上螺旋电感的制备并进行了测量.测量结果表明:所设计的CMOS兼容MEMS悬浮片上螺旋电感Q值在1~7.6GHz测量频段均大于20,在7.4 GHz频段最大值达到了38. 展开更多
关键词 兵器科学与技术 微机电系统 cmos兼容工艺 悬浮片上螺旋电感 Q值 无线电引信
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用于通信ASIC的高速BiCMOS逻辑电路 被引量:3
4
作者 马辰光 成立 +1 位作者 高平 王振宇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期7-10,13,共5页
提出了几种通信用BiCMOS逻辑门电路的实现方案.这些逻辑门均可在低电源电压(2.0~3.0 V)下,采用BiCMOS工艺和深亚微米技术精心设计及制作,并经过比较对其作出评价.分析和实验结果表明,所设计的电路不但具有确定的逻辑功能,而且具备高速... 提出了几种通信用BiCMOS逻辑门电路的实现方案.这些逻辑门均可在低电源电压(2.0~3.0 V)下,采用BiCMOS工艺和深亚微米技术精心设计及制作,并经过比较对其作出评价.分析和实验结果表明,所设计的电路不但具有确定的逻辑功能,而且具备高速、低耗、低电源电压和全摆幅的特性,因而完全适用于高速数字通信系统中. 展开更多
关键词 双板与cmos兼容技术 通信专用集成电路 ASIC 集成逻辑门 数字通信系统 BIcmos
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日立开发出CMOS兼容的MEMS传感器工艺
5
作者 Kenji Tsuda 《集成电路应用》 2009年第11期27-27,共1页
日立中心研究实验室(东京)的研究人员宣布,他们已经开发出了与CMOS兼容的MEMS加工技术,可以在CMOS芯片的互连层上制造MEMS传感器。
关键词 MEMS传感器 cmos兼容 开发 日立 MEMS加工技术 工艺 cmos芯片 研究人员
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单片机与ADC0832的接口技术 被引量:5
6
作者 梁明亮 王新强 《河南科技》 2006年第8期48-49,共2页
关键词 接口技术 单片机 MICROWIRE A/D转换器 cmos兼容 模拟信号 逐次逼近型 串行接口 Plus 价格比较
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Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀
7
作者 郑若成 刘丽艳 徐政 《电子与封装》 2004年第2期47-49,5,共4页
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬... 在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。 展开更多
关键词 Bipo1ar技术 多晶发射极 腐蚀 双极cmos兼容 实验设计
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单片机复用设计技术研究
8
作者 胡子阳 《微处理机》 2016年第1期15-17,共3页
集成电路产业沿着摩尔定律高速发展,工艺水平每两年升级换代一次,由此导致了元器件行业的高速发展,也带来了快速的更新换程。然而许多应用要求集成电路要长期稳定工作,不希望元器件更新速度太快以至于提高系统潜在风险,这就与元器件生... 集成电路产业沿着摩尔定律高速发展,工艺水平每两年升级换代一次,由此导致了元器件行业的高速发展,也带来了快速的更新换程。然而许多应用要求集成电路要长期稳定工作,不希望元器件更新速度太快以至于提高系统潜在风险,这就与元器件生命周期越来越短形成了矛盾,在单片机方面,由于早期MCS51架构单片机品种众多而且需求量大,此种问题尤其严重。技术上需要利用新的工艺技术,使已有的单片机通过复用扩展,设计出可以同时替代多款单片机的集成电路产品,以满足应用需求。利用L89C51RD2单片机,结合flash可配置的特点,设计了一款单片机产品,可以灵活配置其功能,从而实现对多个系列MCS51架构单片机的替代。 展开更多
关键词 L89C51RD2设计 cmos工艺 MCS51架构 单片机 复用技术 硬件兼容
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开关电流技术与过采样A/D变换器 被引量:1
9
作者 陈小元 王志华 《电路与系统学报》 CSCD 1996年第4期44-51,共8页
开关电流(SI)电路技术与标准数字CMOS工艺的完全兼容使得它成为实现过采样A/D变换器乃至单片模数混合集成系统的理想选择。本文讨论了开关电流电路技术及其在过采样A/D变换器的应用,包括开关电流电路的基本单元及其各种... 开关电流(SI)电路技术与标准数字CMOS工艺的完全兼容使得它成为实现过采样A/D变换器乃至单片模数混合集成系统的理想选择。本文讨论了开关电流电路技术及其在过采样A/D变换器的应用,包括开关电流电路的基本单元及其各种改进型,实现过采样A/D变换器中调制器的建构模块和制器的结构。 展开更多
关键词 A/D变换器 过采样 开关电流电路 兼容 调制器 混合集成 cmos工艺 技术 模块 单片
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Nantero和SVTC研制出可用于下一代电子技术的碳纳米管
10
《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期739-739,共1页
Nantero是一家采用碳纳米管技术(CNT)开发下一代半导体器件的纳米技术公司,它宣布与SVTC技术公司合作来加速纳米基电子产品的商业化进程。Nantero已经开发出了一种与CMOS兼容的专利CNT工艺,并将把这种工艺引进到SVTC分别位于加利福... Nantero是一家采用碳纳米管技术(CNT)开发下一代半导体器件的纳米技术公司,它宣布与SVTC技术公司合作来加速纳米基电子产品的商业化进程。Nantero已经开发出了一种与CMOS兼容的专利CNT工艺,并将把这种工艺引进到SVTC分别位于加利福尼亚州圣荷西和德克萨斯奥斯汀的两个现代化开发代工厂中。 展开更多
关键词 碳纳米管 电子技术 cmos兼容 加利福尼亚州 半导体器件 商业化进程 纳米技术 电子产品
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采用MEMS技术的硅振荡器具有高稳定性和低成本
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《今日电子》 2006年第5期89-89,共1页
SiRes系列硅振荡器包括SiT1xxx固定频率及SIT8002可编程频率的硅振荡器,采用MEMS First及EpiSeal CMOS兼容工艺生产,体积比石英振荡器的体积小1000倍,每年的老化程度为±2×10^-6.
关键词 石英振荡器 MEMS技术 高稳定性 成本 器具 cmos兼容 固定频率
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斯坦福大学研制出晶圆级CNT逻辑电路
12
《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期739-739,共1页
对无规则CNT进行控制,标志着晶圆级生长、转移和集成工序正使纳米管电路走向商业化。世界一流半导体和相关技术的大学与研究机构的联盟半导体研究公司与斯坦福大学的研究人员联合论证了CNT生产晶圆级CMOS兼容功能电路。CNTFET被认为是... 对无规则CNT进行控制,标志着晶圆级生长、转移和集成工序正使纳米管电路走向商业化。世界一流半导体和相关技术的大学与研究机构的联盟半导体研究公司与斯坦福大学的研究人员联合论证了CNT生产晶圆级CMOS兼容功能电路。CNTFET被认为是很有竞争力的,可利用目前的CMOS技术制造更高水平的芯片能力。 展开更多
关键词 斯坦福大学 逻辑电路 CNT 晶圆 cmos技术 cmos兼容 功能电路 研究人员
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市场和产品
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作者 王玲 王淑华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期64-64,共1页
关键词 产品 cmos兼容 机械寿命 可靠性要求 光刻掩模 投影设备 SIGE 专利技术
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新型指纹传感器
14
《今日电子》 2007年第9期68-68,共1页
AT77C102B完全兼容其前代产品AT77C101B,但传感灵敏度却是前身的两倍。利用高性能的热技术,AT77C102B FingerChip传感器在硅片上使用改善的热感层。这一改善提高了该传感器所承受的最高温度,从而实现新的连接能力。FingerChip产品系... AT77C102B完全兼容其前代产品AT77C101B,但传感灵敏度却是前身的两倍。利用高性能的热技术,AT77C102B FingerChip传感器在硅片上使用改善的热感层。这一改善提高了该传感器所承受的最高温度,从而实现新的连接能力。FingerChip产品系列是使用触击传感器工艺的高性能硅热技术CMOS指纹传感器,可用于嵌入式应用。即使遇到潮湿、干燥或有磨损的指纹, 展开更多
关键词 指纹传感器 传感灵敏度 IP传感器 嵌入式应用 最高温度 cmos 技术 兼容
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硬件部分
15
《电脑》 2003年第12期77-79,共3页
问:西数的WD100EB硬盘,2000年生产的,10G。现在在BIOS中可以认出来(不过,BIOS自检时,提示:S.M.A.T检查出错),可是进入WIN98却不可识别。答:找到HDD S.M.A.R.T.Capability(硬盘S.M.A.R.T.功能,自我监测分析以及报告)技术。选择Disabled,... 问:西数的WD100EB硬盘,2000年生产的,10G。现在在BIOS中可以认出来(不过,BIOS自检时,提示:S.M.A.T检查出错),可是进入WIN98却不可识别。答:找到HDD S.M.A.R.T.Capability(硬盘S.M.A.R.T.功能,自我监测分析以及报告)技术。选择Disabled,看能否正常启动。问:想把我的一台电脑设成自动开机,就好像每天的早上8点钟,电脑就自动开起来。 展开更多
关键词 计算机 硬件故障 硬盘 BIOS自检 Capability技术 cmos 显示器 数据线 光驱 读盘能力 焊接技术 PCB电路板 兼容性问题 主板传感器
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IBM研发全新制造技术 可将芯片性能提高三倍
16
《现代材料动态》 2005年第2期23-27,共5页
IBM公司研发了一种可以将芯片中标准晶体管的性能提高三倍的技术,这一方法与传统的CMOS技术相兼容,为实现芯片性能和电子系统性能的进一步提高迈出了重要一步。
关键词 芯片性能 cmos技术 电子系统 制造技术 IBM公司 兼容 研发 中标 标准
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Development of silicon photonic devices for optical interconnects 被引量:4
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作者 XIAO Xi LI ZhiYong +6 位作者 CHU Tao XU Hao LI XianYao NEMKOVA Anastasia KANG Xiong YU YuDe YU JinZhong 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2013年第7期586-593,共8页
Silicon photonic devices based on complementary-metal-oxide-semiconductor(CMOS) compatible technologies have shown attractive performances on very-large-scale monolithic optoelectronic integration,high speed modulatio... Silicon photonic devices based on complementary-metal-oxide-semiconductor(CMOS) compatible technologies have shown attractive performances on very-large-scale monolithic optoelectronic integration,high speed modulation and switching,and efficient off-chip optical coupling.This paper presents the recent progress on fast silicon optical modulation,wavelength-insensitive optical switching and efficient optical coupling techniques in our group.Several CMOS-compatible silicon optical couplers with different structures have been developed,showing the highest coupling efficiency of 65%.Broadband silicon-based optical switches with sub-nanosecond switching on-off time are experimentally realized.Silicon modulators with novel PN junctions are demonstrated with the speed up to 50 Gb s-1. 展开更多
关键词 光子器件 光学互连 开发 金属氧化物半导体 cmos兼容 光耦合技术 光电子集成
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动手改造1998年任天堂无反相机
18
作者 浓油赤酱 《摄影之友》 2022年第11期15-15,共1页
来自1998年的拍摄技术早在1998年2月21日,日本任天堂便发布了迷你游戏机Game Boy卡带配件Game Boy Camera,其外观沿用了游戏卡带的形状,但增加了一个可180度旋转的前置摄像头,可用于拍摄记录与自拍。这个外置设备兼容Game Boy普通版与... 来自1998年的拍摄技术早在1998年2月21日,日本任天堂便发布了迷你游戏机Game Boy卡带配件Game Boy Camera,其外观沿用了游戏卡带的形状,但增加了一个可180度旋转的前置摄像头,可用于拍摄记录与自拍。这个外置设备兼容Game Boy普通版与彩色版,拥有128×128像素的CMOS传感器,可以使用Game Boy系统的4色调色板储存128×112像素灰度的数字图像。 展开更多
关键词 数字图像 cmos传感器 调色板 像素灰度 拍摄记录 设备兼容 拍摄技术 摄像头
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