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基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜
1
作者
陈玲丽
刘畅
+4 位作者
刘强
赵兰天
刘晨鹤
朱宇波
俞文杰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期365-369,401,共6页
在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力。两...
在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力。两种器件均采用杂质分凝技术制备,在源漏与沟道的界面形成了陡峭的杂质分布,TFET也因此具备陡峭的隧穿结。两种器件的载流子输运机制不同,因此温度对电流的影响也不同,此外,不同于MOSFET的单极导通行为,TFET由于源漏两端均为重掺杂,表现为强烈的双极导通行为。测试发现,由TFET构成的电流镜电路的电流传输比高达97%,高于一般的TFET电流镜和实验中用于对比的MOSFET电流镜,且TFET电流镜的输出阻抗较高,约1 MΩ。这为TFET的研发与简单应用提供了参考。
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关键词
隧穿场效应晶体管(TFET)
杂质分凝
电流镜
电流传输比
双极导通行为
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职称材料
题名
基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜
1
作者
陈玲丽
刘畅
刘强
赵兰天
刘晨鹤
朱宇波
俞文杰
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
中国科学院大学
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期365-369,401,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61674161)。
文摘
在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力。两种器件均采用杂质分凝技术制备,在源漏与沟道的界面形成了陡峭的杂质分布,TFET也因此具备陡峭的隧穿结。两种器件的载流子输运机制不同,因此温度对电流的影响也不同,此外,不同于MOSFET的单极导通行为,TFET由于源漏两端均为重掺杂,表现为强烈的双极导通行为。测试发现,由TFET构成的电流镜电路的电流传输比高达97%,高于一般的TFET电流镜和实验中用于对比的MOSFET电流镜,且TFET电流镜的输出阻抗较高,约1 MΩ。这为TFET的研发与简单应用提供了参考。
关键词
隧穿场效应晶体管(TFET)
杂质分凝
电流镜
电流传输比
双极导通行为
Keywords
tunneling field effect transistor(TFET)
dopant segregation
current mirror
current transfer ratio
ambipolar conduction behavior
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜
陈玲丽
刘畅
刘强
赵兰天
刘晨鹤
朱宇波
俞文杰
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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