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Pt/Nb∶SrTiO3/In结构异常的双极性电阻变换特性
1
作者
王强文
郭育华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期863-868,875,共7页
研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论。用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3(NSTO)(001)单晶衬底上制备了Pt和In电极,构建了Pt/NSTO/In异质结。该异质结的I-V特性测试结果表...
研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论。用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3(NSTO)(001)单晶衬底上制备了Pt和In电极,构建了Pt/NSTO/In异质结。该异质结的I-V特性测试结果表明,该异质结具有不同寻常的双极性阻变特性。随着Nb在SrTiO3中掺杂浓度的改变,决定样品在正电压扫描过程中由高电阻状态(HRS)向低电阻状态(LRS)或由LRS向HRS转换的阈值电压也呈现出规律性变化。对其阻变特性的物理机制分析表明,Pt/NSTO界面肖特基势垒和Pt/NSTO、NSTO/In界面处的氧空位引入的缺陷能级对电子的束缚和释放与该器件不同寻常的双极性电阻变换特性密切相关。
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关键词
Nb掺杂SrTiO3(NSTO)
双极性阻变
肖特基势垒
氧空位
缺陷能级
下载PDF
职称材料
题名
Pt/Nb∶SrTiO3/In结构异常的双极性电阻变换特性
1
作者
王强文
郭育华
机构
中国电子科技集团公司第三十八研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第11期863-868,875,共7页
基金
装备预先研究项目(41423070115)
文摘
研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论。用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3(NSTO)(001)单晶衬底上制备了Pt和In电极,构建了Pt/NSTO/In异质结。该异质结的I-V特性测试结果表明,该异质结具有不同寻常的双极性阻变特性。随着Nb在SrTiO3中掺杂浓度的改变,决定样品在正电压扫描过程中由高电阻状态(HRS)向低电阻状态(LRS)或由LRS向HRS转换的阈值电压也呈现出规律性变化。对其阻变特性的物理机制分析表明,Pt/NSTO界面肖特基势垒和Pt/NSTO、NSTO/In界面处的氧空位引入的缺陷能级对电子的束缚和释放与该器件不同寻常的双极性电阻变换特性密切相关。
关键词
Nb掺杂SrTiO3(NSTO)
双极性阻变
肖特基势垒
氧空位
缺陷能级
Keywords
Nb doped SrTiO3 (NSTO)
bipolar resistive switching
Schottky barrier
oxygen va-cancy
defect level
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Pt/Nb∶SrTiO3/In结构异常的双极性电阻变换特性
王强文
郭育华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
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