高鲁棒性双极性高压隔离采样电路设计

根据大容量能库型装置双极性充电电源对采样电路的高鲁棒性、正负极性均可控等要求,研制了一种隔离电压大于30 kV、隔离转换电压误差小于0.1%的正负双极性直流高压隔离采样电路。采用电压/频率、频率/电压转换方法,通过光纤、变压器隔离等措施,实现了正负双极性直流高压同时隔离采样,解决了目前双极性直流高压电源存在的正负极性电压不平衡、控制信号与高功率系统地隔离不完全问题,提高了电源的抗电磁干扰能力。该电路在±10 kV双极性充电输出时,正负极性电压偏差小于0.1%,100多台充电电源在18.3 MJ脉冲装置放电产生的复杂电磁干扰环境下可靠稳定运行。

隔离栅双极性晶体管的驱动与保护

隔离栅双极性晶体管 (InsulatedGrideBipolarTransistor)简称IGBT ,作为一种新型的开关器件 ,它与以往的开关器件相比具有不可比拟的优点 ,正受到越来越多的电源设计人员的重视。简要分析了IGBT在使用中的一些注意事项。

基于单片机的脉冲电源控制器研究与开发

由于普通的电镀电源控制器难以满足使用要求,故此处选用C8051单片机作为核心控制芯片控制电镀电源工作,选用ISO124数据通道隔离放大器消除共模干扰,双极性隔离选用DC/DC模块:DCP011515提供隔离电源。系统开发完成后,顺利通过测试试验,实验结果证明该系统满足使用要求。