DX421系列硅双极模式静电感应晶体管(BSIT)

BSIT是一种新型功率开关器件,在国际上仅在日本有产品销售。 该器件在工作原理及结构设计上均有新的突破,因而该器件不仅具有场效应管工作频率高,输出功率大,无二次击穿,电流负温度系数等优点,而且具有双极管饱和压降小的特点,被誉为新一代的电力电子器件。 目前600V,1A。

氢化非晶硅双极性场效应晶体管

本文着重研究了玻璃栅介质(GGI)氢化非晶硅双极性场效应晶体管(α-Si:HBFET)的转移特性,并比较了SiO_2和SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET的性质.业已发现:(1)硼掺杂和磷掺杂不仅可以人大地提高(GGI)α-Si:HBFET的电流驱动能力,而且可以大大地改善其双极对称性.(2)(GGI)未掺杂α-Si:HBFET可以用来构成静态特性良好的CMOS倒相器.(3)SiO_2栅介质α-Si:HFET具有典型的双极性,但是SiO_2/α-SiN_x:H栅介质α-Si:HFET则不是双极性的.

双极性晶体管等效电路的教学实践

为分析双极性晶体管放大电路而引入的众多双极性晶体管等效模型加重了初学者负担。本文介绍了一种从双极性晶体管物理结构出发推导出高频低频等效电路以简化分析手段、突出教学目的的教学尝试,同时利用仿真软件的辅助分析加深初学者对工程近似概念的理解。

基于Si/Si_(1-x)Ge_x/Si异质结双极性晶体管的微波功率器件电流密度的数值拟合计算

采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n p n型异质结双极性晶体管,利用数学方法,通过实验数据,采用MATLAB得到了一个比线性化更精确的禁带宽度Eg在300K时关于Ge组分变化的方程。并用数值方法计算出集电区电流密度Jc随VBE变化的直流方程,与实验结果相符,并得到一个最佳的Ge组分值。

SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响

研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅烷(SiH_4)取代常用的氨气(NH_3)和硅烷(SiH_4)作为淀积SiN薄膜的反应气体,显著地减少了器件发射结(B-E)和集电结(B-C)泄漏电流。另外,与未钝化器件的直流性能相比,钝化后器件的电流增益增加,基区表面复合电流大幅减小,这对提高器件的可靠性至关重要。

双极性碳纳米管薄膜晶体管构建及电性能研究

本文用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(1,4-苯并2,1-3噻二唑)](PFO-BT)分离的半导体碳纳米管作为有源层,通过气溶胶喷墨打印技术在刚性基体上构建出底栅结构的碳纳米管薄膜晶体管器件。用钛酸钡复合材料封装后,碳纳米管薄膜晶体管表现出很好的双极性、较高的开关比和零回滞特性,同时阈值电压能够控制在0V附近。通过两个双极性薄膜晶体管连接而成的反相器表现出零回滞、高电压增益(Vdd=1.5V时,其增益可达到35)和大噪声容限(Vdd=1V时,最大噪声容限为0.44V)。

SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响

报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。

隔离栅双极性晶体管的驱动与保护

隔离栅双极性晶体管 (InsulatedGrideBipolarTransistor)简称IGBT ,作为一种新型的开关器件 ,它与以往的开关器件相比具有不可比拟的优点 ,正受到越来越多的电源设计人员的重视。简要分析了IGBT在使用中的一些注意事项。

多芯片绝缘栅双极性晶体管模块的老化键合线定位方法

对实际工况中绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的可靠性监测是对电力系统安全运行的重要保证。然而,采用多芯片封装方式的IGBT模块因芯片位置分布导致模块整体热量分布不均问题。针对该问题,使用多芯片封装IGBT模块,建立其包含7层结构的有限元模型,通过有限元仿真结果分析得出,模块整体温度分布不均是由于各芯片传热路径交叉所导致的热阻耦合现象。在掌握热量分布规律的基础上,研究了IGBT模块内部芯片串、并联使用时某一芯片发生键合线老化后各芯片功率损耗的变化规律,并据此提出考虑热量分布不均的键合线老化故障芯片定位方法。仿真及试验结果表明:文中提出的多芯片封装IGBT模块热分布规律具有正确性,老化键合线定位方法具有可行性。

具有快速开关和低V_(CESAT)的1200V碳化硅双极性晶体管

由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。

绝缘栅双极晶体管模块过电应力的研究

通过频率试验和阻断电压试验，研究了过电应力对ＩＧＢＴ模块的影响；利用扫描电镜（ＳＥＭ）和液晶（ＬＣ）技术，对失效模块的失效机理进行了分析；报道了试验结果及失效分析结果。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动与保护

在介绍IGBT结构原理及特点的基础上,讨论了设计IGBT驱动电路应考虑的问题和IGBT的过压和过流保护技术.在大功率高压开关电源中的应用证明,所设计的驱动保护电路性能良好.

基于酞菁铅的有机平衡双极型场效应晶体管

有机场效应晶体管（OFETs）分为单极性和双极性．单极性OFETs仅能工作在p-沟道（空穴型导电沟道）或者n-沟道（电子型导电沟道）模式下，然而双极型OFETs可以通过改变栅压的极性在p-沟道和n-沟道模式之间转变．

双极型晶体管混频器模型的建立

本文以Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数和变换矩阵为基础建立了双极型晶体管混频器的频域分析模型。运用本模型，可以模拟多频信号输入和考虑本振谐波情况下混频器的混频增益和二阶、三阶交调、互调失真电平随电路静态工作点和本振幅度的变化关系．

LTspice在双极型晶体管电路学习中的应用

使用LTspice仿真,验证双极型晶体管电路的静态工作点、放大倍数、输入电阻、输出电阻、输入和输出电压的计算数值,观察波形,能够实现抽象器件的具体化、估算模型结果的精确化。分析了软件仿真与近似估算之间的误差的产生原因,并从数据上做了验证。根据器件模型,讨论了参数调整的方法,实现了更好的数据匹配。基于免费的工具,得到工业级软件的仿真结果,有助于电子电路的进一步学习、分析和设计。

用于器件和电路模拟的电荷基础大讯号双极晶体管模型

本文提出了一种新的大讯号双极晶体管模型。该模型以电荷为基础,由双极载流子输运的一维区域分析导出,而很少使用经验结论。在测试由先进的双极工艺制作的典型器件的基础上,描述了模型验证和参数提取,同时,证明了该模型的预计潜力。该物理模型可用作半定量的器件/电路混合模拟的基础,并且作为模型体系应用于CAD技术中。

绝缘栅双极型晶体管IGBT

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是双极性器件和MOS器件结合的功率器件。美、日等国从1982年开始研制到1986年投产,目前最大容量1000A,最高电压1400V,工作频率在声频(20kHz)以上。 IGBT具有GTR一样的功率处理能力和功率MOSFET相类似的开关特性,并具备GTR和MOSFET的优点。