双极模式静电感应晶体管及其复合管的原理

静电感应器件通过控制漏和栅的电压来改变沟道中的势垒高度,从而控制来自源区的多数载流子量,并通过静电式控制沟道中的电势分布,来控制电流。本文说明了BSIT单管及大电流高增益复合管的主要工艺过程和工作原理,特别是BSIT由小电流区域变到大电流区域的过程中Ⅰ-Ⅴ曲线的变化及机理。为了更好地了解BSIT的工作原理,针对DX421型BSIT器件作了计算机模拟,最后对其单管和大电流高增益复合管的一些参数如电流放大系数、阻断电压和饱和压降进行了讨论。

双极模式静电感应晶体管(BSIT)

一种具有常关型特性的新型功率器件已经研究成功了,该器件称为双极模式静电感应晶体管,器件阻断电压达600V,漏极电流1.5A,开通时间120ns,关断时间320ns。

宽温超高频双极静电感应晶体管研制

描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小于４０％，优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善３０％。

静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究

对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.

SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGeSOIBMHMT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管。

BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。

宽温高频高反压沟道基区晶体管研制

耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．

表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究

通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。

BSIT开态的数值分析

对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅压（ＶＧ＜０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压下（ＶＧ＞０．５Ｖ）的少子注入电流控制机制。数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降和饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压、漏电流以及材料参数的变化。上述结果加深了我们对ＢＳＩＴ通导过程和通态特性的物理本质的认识。

SiC BMFET开关特性的仿真研究

研究了不同栅电流和负载类型的沟槽注入结构SiC BMFET的开关特性。仿真结果表明,栅区注入的少子集中分布在沟道区域,可以有效提升沟道区域的电导率,也有利于器件的快速开关。当栅电流为10A/cm^2时,器件的开态电阻比单极模式下降低了近30%,开关时间为1.76μs。当负载含电感时,与单极模式相比,双极模式下的开关时间并未明显延长,但电流和电压过冲小得多。

高电流增益SiC BMFET功率特性的优化研究

研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响。仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降。沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越明显,但同时电流增益会降低。相比于单极模式SiC结型场效应晶体管(JFET),SiC BMFET可以显著提升器件的FOM优值,降低器件功率特性对结构参数的敏感度,同时降低了常关型器件的设计难度。

DZL261系列电子镇流器

DZL系列电子镇流器从1989～1991年先后共五个品种通过部、省专家级鉴定,形成了从9W至40W的系列化产品。 主要特点是,采用了我国自行研制成功的新型功率开关器件(双极模式静电感应晶体管,加上电路设计合理,功能齐全,并实现了厚膜混合集成化,因此性能优异且可靠性好。 该产品工作频率高,无频内,工作范围宽,

线性EDGE发射模块

TQM6M9085的占位面积为5．25mm×6mm，向手机设计者提供砷化镓（GaAs）异厥结双极晶体管（HBT）的所有优势。其在低直流电源下的高增益线性工作模式使它非常适用卡要求高效率的下一代设备。该集成式模块还具有附加开关端口以支持更多频带，为智能手机、功能手机和低成本的纯语音手机提供更大的设计灵活性。

预驱动功率放大器

用于基站的砷化镓异质结构双极晶体管(GaAs HBT)预驱动功率放大器RF3807和RF3809的输出功率为0．5W和2W，可在CDMA、GSM、DCS、PCS及UMTS频率中工作。在UMTS频带中运行的RF3807在线性运行模式下提供了+28．5dBm输出功率(OP1dB)、高功效(OP1dB时为40％)、高线性(+42dBmOIP3)和增益(14．5dB)，在输出功率为+17dBm时可获得-60dBc的邻道功率(ACPR)。

RT8450高功率LED驱动器

RT8450是立镝科技公司（RICHTEK）针对高功率LED（HPHED）推出的一款驱动器，采用双极晶体管工艺，以适应HPLED通常用于高电压、大电流环境这一要求。 一 主要特点简介 RT8450采用小型化WDFN-12L或TSSOP-16封装方式，如图1所示。该芯片内部集成有一只电流模式PWM控制器，可与外围元件构成降压型（Buck）、升压型（Boost）和升降压型（Buck—Boost）等多种电路。