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MWNTs-SiO_2-Si结构中的双极电阻效应 被引量:1
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作者 王震 朱鹏飞 +2 位作者 张朝民 祝昆 宋培 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第3期36-39,共4页
MWNTs(多壁碳纳米管)-SiO2-Si结构被激光照射后产生双极电阻效应(BRE)。MWNTs-SiO2-Si结构对绿光波长附近的激光有很强的吸收率,测得的最高灵敏度达到32 630?/mm。通过实验测出了BRE的三维表面图,并对水平和垂直方向的截面图进行了电阻... MWNTs(多壁碳纳米管)-SiO2-Si结构被激光照射后产生双极电阻效应(BRE)。MWNTs-SiO2-Si结构对绿光波长附近的激光有很强的吸收率,测得的最高灵敏度达到32 630?/mm。通过实验测出了BRE的三维表面图,并对水平和垂直方向的截面图进行了电阻灵敏度分析。根据平衡状态下的电子分布模型提出了MWNTs-SiO2-Si结构的能带图。结合实验结果和理论模型,用有效电子密度理论解释了双极电阻效应的机理。 展开更多
关键词 双极电阻效应 多壁碳纳米管 有效电子密度 能带 位移传感器 电阻调节器
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