氧化物墙隔离E、B、C的双极高速晶体管制造工艺

本文介绍了一种IC中使用的双极高速晶体管制造工艺，该工艺制造的晶体管的E、B、C均由氧化物墙隔离，消除了pn结的侧壁结，使双极晶体管的两个pn结基本上成为平面结，提高晶体管的fT。本文介绍了该工艺的工艺流程。分析了该工艺结构晶体管的特点，介绍了关键工艺步骤的工艺过程及工艺参数。并给出该工艺制造的晶体管的电参数及该工艺的应用前景。

对高速双极晶体管工艺条件的优化分析

随着科技的不断发展,对高速双极晶体管的研发与生产受到了更多的重视。本文基于深槽隔离与注入基区、为发射极扩散与Ti硅2经快速退火提出双层多晶硅双极技术。在选择性注入集电极与RTA工艺条件的影响进行分析,并提出相关的优化,结合实验结果,制造出质量更高的高速双极晶体管。