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SOI基双级RESURF二维解析模型
被引量:
4
1
作者
郭宇锋
方健
+2 位作者
张波
李泽宏
李肇基
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期764-769,共6页
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,dopingoptimalregion),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层...
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,dopingoptimalregion),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构.根据此模型,对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究,并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真.以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOILDMOS.解析解、数值解和实验结果吻合得较好.
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关键词
SOI
双极resurf
击穿电压
模型
下载PDF
职称材料
题名
SOI基双级RESURF二维解析模型
被引量:
4
1
作者
郭宇锋
方健
张波
李泽宏
李肇基
机构
电子科技大学IC设计中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期764-769,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276040)~~
文摘
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,dopingoptimalregion),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构.根据此模型,对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究,并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真.以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOILDMOS.解析解、数值解和实验结果吻合得较好.
关键词
SOI
双极resurf
击穿电压
模型
Keywords
SOI
double
resurf
breakdown voltage
model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI基双级RESURF二维解析模型
郭宇锋
方健
张波
李泽宏
李肇基
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
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职称材料
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