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SOI基双级RESURF二维解析模型 被引量：4
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作者 郭宇锋 方健 +2 位作者 张波 李泽宏 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期764-769,共6页
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,dopingoptimalregion),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层... 提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,dopingoptimalregion),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构.根据此模型,对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究,并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真.以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOILDMOS.解析解、数值解和实验结果吻合得较好. 展开更多
关键词 SOI 双极resurf 击穿电压 模型
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