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小型L波段GaAs双栅场效应管混频器的设计和性能
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作者 王文骐 杨新民 《微波学报》 CSCD 北大核心 1995年第2期112-116,共5页
本文叙述了用于L波段微波接收机的砷化镓双栅场效应管混频器的设计考虑和实验结果.包括中频匹配网络,整个电路制作在30×40mm^2复合微波介质基片上.获得8.1dB的变频增益和5.9dB的噪声系数.研究了本振功率P_(Lo)、信号功率P_s和直流... 本文叙述了用于L波段微波接收机的砷化镓双栅场效应管混频器的设计考虑和实验结果.包括中频匹配网络,整个电路制作在30×40mm^2复合微波介质基片上.获得8.1dB的变频增益和5.9dB的噪声系数.研究了本振功率P_(Lo)、信号功率P_s和直流偏压V_(g1s)、V_(g2s)对变频增益G_c和噪声系数N_F的影响,并给示了最佳条件. 展开更多
关键词 双栅场效应管 混频器 砷化镓 设计 性能
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双栅场效应管混频器在相位法激光测距中的应用 被引量:3
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作者 张加良 曾晓东 安毓英 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期453-455,498,共4页
相位法激光测距机采用混频移相测相的方法来测量本地发射信号与接收的回波信号之间的相位差,通过相位差计算测量距离。由这个原理可知,当对测量精度要求较高时,对高频下的混频器的两路输入信号隔离度的要求也提高了。采用双栅场效应管... 相位法激光测距机采用混频移相测相的方法来测量本地发射信号与接收的回波信号之间的相位差,通过相位差计算测量距离。由这个原理可知,当对测量精度要求较高时,对高频下的混频器的两路输入信号隔离度的要求也提高了。采用双栅场效应管作为相位法激光测距机的混频器,能达到很好的混频效果,可有效地克服由于混频器隔离度不够高造成的混频干扰,为高精度的距离测量提供了必要条件。试验验证了电压隔离度在27dB(500倍)以上,适合做高精度相位法测距机的混频器。 展开更多
关键词 双栅场效应管 混频器 隔离度 相位法激光测距机 精度
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基于双栅场效应管的二值到三值转换电路设计
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作者 方晨斌 夏银水 《无线通信技术》 2017年第2期57-61,共5页
双栅场效应管是近年来提出的一种新颖场效应管器件。本文以双栅场效应管(DG-FET)为研究对象,根据双栅场效应管的亚导通态特性分析,进行二值-三值编码电路的设计。设计实例表明,与传统设计方法相比,利用双栅场效应管亚导通态进行二值-三... 双栅场效应管是近年来提出的一种新颖场效应管器件。本文以双栅场效应管(DG-FET)为研究对象,根据双栅场效应管的亚导通态特性分析,进行二值-三值编码电路的设计。设计实例表明,与传统设计方法相比,利用双栅场效应管亚导通态进行二值-三值编码电路设计具有明显的优势,从而为推进三值逻辑电路的实用化提供途径。 展开更多
关键词 双栅场效应管 数字电路 开关-信号理论
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双栅场效应管高频低噪声开关二极管等器件在电子调谐器应用中的技术探讨
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作者 周永仁 安振明 《电视与配件》 1995年第3期33-36,共4页
关键词 彩电 电子调谐器 双栅场效应管 开关二极管
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电子调谐器用双栅场效应管,高频低噪声片式开关二极管国产化攻关配套情况
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作者 周永仁 《电视与配件》 1993年第4期70-78,共9页
关键词 电子调谐器 双栅场效应管 二极管
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短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析 被引量:3
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作者 朱兆旻 王睿 +1 位作者 赵青云 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期101-105,共5页
基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。... 基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。通过对物理模型和数值模拟结果进行比较,发现在不同的器件结构参数下,亚阈值摆幅之间的误差均小于5%。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应管 亚阈值特性 摆幅 短沟道效应
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纳米双栅MOS器件的二维量子模拟 被引量:2
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作者 王豪 王高峰 +1 位作者 常胜 黄启俊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期174-179,共6页
利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行... 利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行了研究。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 金属氧化物半导体场效应管 量子力学效应 实空间 数值模拟 极漏电流
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短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型 被引量:3
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作者 王睿 赵青云 +1 位作者 朱兆旻 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期323-328,共6页
采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的... 采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 短沟道效应 解析模型
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双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型 被引量:1
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作者 王睿 赵青云 +1 位作者 朱兆旻 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期303-308,共6页
通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟... 通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟道电势分布,分析了沟道长度和厚度对短沟道效应的影响。结果表明,掺杂隔离区域能改善肖特基MOSFET的电学特性;对于短沟道双栅掺杂隔离肖特基MOSFET,适当减小沟道宽度能有效抑制短沟道效应。 展开更多
关键词 肖特基源漏 掺杂隔离 金属氧化物半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应
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纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型
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作者 沈寅华 李伟华 +1 位作者 叶晖 陈炜 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期14-18,共5页
论述了纵向对称双硅栅薄膜 MOSFET的等电位近似模型的研究 ,通过对该器件建立泊松方程 ,并利用在阈值电压附近硅膜中的等电位近似 ,得到了这种对称双硅栅 MOSFET器件的电流模型 ,并在不同参数下对该模型进行了模拟 ,最终得到 Ids-Vg
关键词 金属氧化物半导体场效应管 等电位近似模型 纵向对称薄膜
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双栅MOS场效应管的特性及应用
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作者 童瑾 《无线电》 北大核心 1989年第4期25-26,共2页
双栅MOS场效应管(以下简称双栅管)是国外70年代发展起来的一种新型的高频低噪声放大器件,其突出的优点是反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频和超高频范围内稳定地工作。另外,通过改变第二栅上偏压可以容易... 双栅MOS场效应管(以下简称双栅管)是国外70年代发展起来的一种新型的高频低噪声放大器件,其突出的优点是反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级,因而能在甚高频和超高频范围内稳定地工作。另外,通过改变第二栅上偏压可以容易地实现自动增益控制(AGC)。现在。 展开更多
关键词 MOS场效应管 工作原理 自动增益控制 应用
原文传递
AFC与AFT不能混为一谈
12
作者 洪波 《家电维修》 2003年第3期57-57,共1页
关键词 AFC AFT 电视机 黑白电视机 彩电 双栅场效应管
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TDQ-2型全增补高频头的修复
13
作者 伏润生 《家电维修》 2007年第4期63-63,共1页
笔者曾几次碰到TDQ-2型增补高频头损坏,在L或H频段收不到节目,更换高频头后,故障排除。后来将坏高频头拆开,研究内部电路,发现TDQ-2型增补头的内部电路与TDQ-3型(如TNC6211DT)完全一样,它们都是用双栅场效应管作高频放大,用TDA... 笔者曾几次碰到TDQ-2型增补高频头损坏,在L或H频段收不到节目,更换高频头后,故障排除。后来将坏高频头拆开,研究内部电路,发现TDQ-2型增补头的内部电路与TDQ-3型(如TNC6211DT)完全一样,它们都是用双栅场效应管作高频放大,用TDA-5330T集成电路作本振、 展开更多
关键词 增补高频头 2型 修复 TDQ-3型 双栅场效应管 内部电路 高频头损坏 故障排除
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片式半导体器件
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作者 周永仁 《中国电子商情》 1996年第3期78-79,82+84,共4页
目前,世界上表面安装技术(SMT)正处于蓬勃发展阶段,各种片式元器件因此而发展起来,日益成为电子器件工业的主体。
关键词 半导体器件 片式元器件 晶体管 引出端 电子器件 生产能力 双栅场效应管 复合器件 封装形式 开关二极管
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6SE70逆变器IGBT故障分析与对策 被引量:1
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作者 张振亚 姜红 《电气传动》 北大核心 2020年第3期80-82,共3页
针对某公司小型棒材连轧6SE70系列传动柜频繁发生IGBT爆管问题,具体分析了引发故障的设计容量不足、控制电路故障、操作原因、编码器和柜体安装缺陷五大主要原因,并介绍了所采取的针对性的预防措施。经过近几年的攻关,该故障已经得到有... 针对某公司小型棒材连轧6SE70系列传动柜频繁发生IGBT爆管问题,具体分析了引发故障的设计容量不足、控制电路故障、操作原因、编码器和柜体安装缺陷五大主要原因,并介绍了所采取的针对性的预防措施。经过近几年的攻关,该故障已经得到有效控制。 展开更多
关键词 绝缘极型场效应管故障 容量不足 电流突变 编码器 柜体拆装
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