毫米波硅片集成MEMS滤波器

滤波器作为通信系统中必不可少的微波无源器件[1]。滤波器的性能指标和体积直接影响整个通信系统的性能和体积。研制小型化和高性能的滤波器已经成为主要趋势。本章主要介绍一个毫米波段MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)滤波器的设计和相关MEMS工艺的制作流程,谐振器采用单层硅基片集成(Substrate Integrated Waveguide,SIW)结构,该滤波器实现了小型化、集成化以及高Q值。输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于探针测试台的快速测试滤波器并且方便与外部电路集成。滤波器设计采用双模提取法确定耦合结构尺寸。关键工艺为体硅加工的ICP(Inductively Coupled Plasma)深硅刻蚀。本文设计制作的滤波器指标为:中心频率为35 GHz,1d B带宽2G,驻波小于1.5。最终滤波器芯片尺寸为10.2 mm×4 mm×0.4 mm。