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双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析 被引量：2
1
作者 段利华 方亮 +4 位作者 周勇 周雪梅 韩伟峰 罗庆春 黄茂 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期342-345,共4页
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
关键词 双沟平面掩埋异质结 液相外延 漏电流
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