铝注入的电力半导体器件产品的优势及其进一步开发

Dynex半导体公司用于功率双极半导体器件制造的铝注入技术(“i2”)的问世得到文献的肯定。本文介绍采用这种技术所获得的各种益处,特别讨论满足增加HVDC(高压直流输电)开关功率的需求、改善整流二极管制造能力、提高脉冲电源的极高电压/极大电流能力,以及大面积晶闸管并联均流的有效参数匹配等重要课题。本文也涉及到器件键合和150mm直径的硅片制造事项。“i2”技术的灵活性最适合于为可预见的未来提供最佳的功率器件。