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双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
1
作者
陈红梅
安琪
+6 位作者
吴艳华
王飞飞
胡发杰
李新坤
金鹏
吴巨
王占国
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第5期286-296,共11页
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减...
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。
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关键词
超辐射发光管(SLD)
量子点(QD)
双注入区结构
器件模型
结构
参数
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职称材料
题名
双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
1
作者
陈红梅
安琪
吴艳华
王飞飞
胡发杰
李新坤
金鹏
吴巨
王占国
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第5期286-296,共11页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274072
60976057)
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA014201)
文摘
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。
关键词
超辐射发光管(SLD)
量子点(QD)
双注入区结构
器件模型
结构
参数
Keywords
superluminescent diode(SLD)
quantum dot(QD)
two-section structure
device model
structure parameter
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
陈红梅
安琪
吴艳华
王飞飞
胡发杰
李新坤
金鹏
吴巨
王占国
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014
0
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职称材料
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