CMOS集成电路的抗辐射设计

随着商业微电子器件抗辐射能力的提高，使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能。本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加同设计方法，认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC)。