双界面法在多电源集成电路热阻测试中的应用

在依据JESD51-14中描述的一种基于瞬态结温测试的结到壳热阻双界面测试方法对多电源集成电路进行结壳热阻测试的过程中,选择不同的加热单元,所得的测试结果会出现不一致的情况。对同一款电路,通过对比和分析选择不同加热单元时结壳热阻测试的结果,得出:对多电源集成电路进行结壳热阻测试时,加热单元和测试单元应选取两种不同的电源,且加热单元尽量是电路中所占芯片面积最大的电源。如果选取一组电源作为加热单元,不能保证足够的发热面积,可以选取多组电源做为加热单元,以获得更为准确的测试结果。

半导体器件结到壳热阻测试研究

到壳热阻是衡量半导体器件热性能的重要参数。详细介绍了将半导体器件外壳表面与外部热沉相接触时,从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维热传导路径下,用瞬态双界面法进行结到壳热阻Rth(J-C)测量的方法。阐述了双界面测试法中存在的若干现象与问题,分析了该方法中加热功率、被测件外壳温度控制以及施加加热功率的时间长短对测试结果产生影响的原因,并针对各个问题和影响因素提出了相应的解决办法及合理建议,以获得更为准确且更具有应用性和指导性的热阻测试结果。

IGBT模块热特性测量与内部结构热特性分析

IGBT模块内部各层结构的热学特性容易受到外界条件(如封装工艺或封装原材料性能的变化等)的影响。文章利用结构函数的特性,经过对IGBT实际测量和计算,获得模块内部的结壳热阻,并根据不同材料的热阻和热容值对IGBT模块内部每层结构进行热特性分析。