基于双相电流脉冲的磁刺激系统的设计

为了实现对磁刺激的优化设计,提高线圈刺激频率和充放电效率,介绍了一种基于双相电流脉冲的重复脉冲磁刺激系统的设计方法,采用了多电容组(大功率电容并联)结构的放电回路设计,同时采用单片机脉冲信号加以控制,较好地实现了双相重复脉冲。

人工耳蜗植入术后电诱发听性脑干反应的电生理特征与参数优化研究

目的研究不同测试参数对电诱发听性脑干反应(electrical auditory brainstem response,EABR)波形的影响,选择优化的人工耳蜗术后EABR测试参数,探讨EABR与人工耳蜗术后行为测试结果之间的关系。方法选取17名人工耳蜗植入者,记录和分析不同刺激电极位置、脉冲间隔和交替/非交替双相脉冲电流下EABR波V的引出率、阈值和潜伏期等特征,分析不同刺激电极位置下EABR阈值与行为学T、C值的相关性。结果(1)蜗顶处EABR的V波阈值(90.58±27.39 CU)显著小于蜗中处(106.98±15.66 CU);(2)蜗顶处的V波潜伏期(4.47±0.357 ms)显著短于蜗中处(4.72±0.335 ms);(3)采用交替双相脉冲电流的电伪迹幅值(9.40±12.35μV)显著小于非交替脉冲(19.49±15.12μV);(4)蜗顶处EABR阈值与行为测试的T值和C值均有显著相关性。结论EABR的刺激电极位置和脉冲电流类型均影响波形结果,蜗顶电刺激比蜗中更易引出理想的EABR波形,使用交替双相脉冲电流刺激可有效减少电伪迹的影响。EABR阈值可为人工耳蜗术后开机和调试提供参考。