IDT推出QDR-Ⅱ双端口器件

IDT公司推出其广泛的多端口器件系列的又一新产品。新系列中包括可提供x36QDR-Ⅱ或x18 LA-1QDR-Ⅱ接口的真正双端口器件，以及x72同步双端口器件系列。利用两个端口集成的存储和逻辑控制，双端口产品可加速多处理器间的通信，保证处理器同时操作通用中央存储器。

IDT推出QDR-Ⅱ双端口器件

日前，IDT公司推出其广泛的多端口器件系列的又一新产品。新系列中包括可提供x36 QDR-Ⅱ或x18 LA-1 QDR-Ⅱ接口的真正双端口器件，以及x72同步双端口器件系列。利用两个端口集成的存储和逻辑控制，双端口产品可加速多处理器间的通信，保证处理器同时操作通用中央存储器。这些产品特别适合无线架构、网络、存储、高速图像处理和超级电脑如多核计算。

IDT针对领先无线应用推出业界首个1.8V双端口系列器件

全球领先的通信集成电路供应商——IDT 近日发布业界首款针对高端、低功耗无线应用领域的1.8V 双端口器件,该器件特别为高端、功耗敏感的无线应用而设计,此类应用正开始在中国设计和生产。

双端口先进先出（FIFO）产品系列

IDT^TM公司(Integrated Device Technology，Inc)宣布推出多端口和FIFO产品系列的新款器件。

IDT扩展领先业界的双端口和先进先出（FIFO）产品系列

通信集成电路供应商IDT公司(Integrated Device Technology，Inc．；纳斯达克上市代号：IDTI)宣布已经推出新款器件，进一步拓展多端口和FIFO产品系列，致力于支持下一代无线和网络基础设施对于宽带日益增长的需求。新型的36-Mbit同步双端口器件提供业界最大的密度，而且支持133MHz的速度，解决了棘手的应用问题，比如无线基站、路由器、以太网、异步传输模式(ATM)和存储交换等。同样，新型的TeraSync?FIFO是首款以225MHz支持18-Mbits数据缓冲密度的标准化器件，替代一些成本昂贵的应用高密度、高速度缓冲器件的传统方案。

IDT推出针对工控、医疗成像和通信等应用的下一代双口RAM

IDT公司宣布，其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信，新的9Mb和4Mb双端口器件可实现高达200MHz的性能，以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用1．8V内核电压，比现有解决方案的功耗更低。

IDT 70P35x9：双口RAM

IDT宣布其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信，新的9Mb和4Mb双端口器件可实现高达200MHz的性能，以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用1.8V内核电压，比现有解决方案的功耗更低。双端口器件集成了存储器和控制逻辑，可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。该IDT解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题，增加带宽并降低设计复杂性，同时通过使用经过验证的成熟器件，实现快速上市。

使用QuickSmith软件(下)

通过散射或S参数，可以分析任意的两端口设备，而这些设备可以视为只有一个输入端口（1）和一个输出端口（2）的黑盒子。通过研究S参数，可以了解到一些双端口器件的有关行为和操作。该设备可以是有源元件或无源元件（S）或是两者的结合。S参数包括幅度和相位角的测量。不管是如何简单或复杂的两端口的器件，都可以使用S参数进行分析。