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CMOS集成电路闩锁效应的形成机理和对抗措施研究 被引量：11
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作者 钱敏 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期31-38,共8页
以反相器电路为例,介绍了CMOS集成电路的工艺结构;采用双端pnpn结结构模型,较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理;介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成,这是CMOS集... 以反相器电路为例,介绍了CMOS集成电路的工艺结构;采用双端pnpn结结构模型,较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理;介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成,这是CMOS集成电路得到广泛应用的根本保障. 展开更多
关键词 CMOS集成电路 闩锁效应 形成机理 对抗措施 反相器 双端pnpn结结构模型 可控硅
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