双结型硅色敏器件的测试与分析

测试发现双结型硅色敏器件的两个结的输出电流与测试方法有关，对此进行了分析，并给出了正确的测试方法。对色敏器件的制作工艺提出了若干改进意见。

硅双结型色敏器件蓝紫响应度的研究与改善

尝试选择不同的衬底材料、不同的工艺条件,以及合理的结构,来改善硅双结色敏器件的蓝紫光响应,并在此基础上制作了蓝紫响应较好的器件。通过测试与分析,得出采用单晶衬底材料、深结较浅工艺的N+PN型器件蓝紫响应度较好的结论。

全色波段硅双结型色敏器件的研制

通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素。通过选择不同的器件结构和工艺条件 ,得到了色敏器件对蓝紫光的响应 ,完成了全色波段硅双结型色敏器件的研制。

CMOS器件自锁现象的探讨

结合最近开发的绝缘油耐压测试仪中出现的CMOS自锁现象,系统分析了在电路设计中尤其是强电磁场等特殊环境下普遍存在的CMOS器件自锁现象产生的机理、触发条件和原因,并提出了抑制该类干扰的各种措施。

绝缘油耐压测试仪中CMOS器件的自锁现象及抑制措施

随着CMOS器件在电子设计领域中应用范围的日益广泛,对其性能可靠,抗干扰方面的要求也越来越高,而在特定环境下,其自身特有的自锁现象严重影响了系统的正常工作。本文针对最近开发的绝缘油耐压测试仪中出现的CMOS自锁现象及其抑制方法,系统分析了在电路设计中尤其是强电磁场等特殊环境下普遍存在的CMOS器件自锁现象产生的机理、触发条件和原因,并提出了抑制该类干扰的各种措施。