GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与

基于耦合SPH-FEM方法的落石冲击双缓冲层钢棚洞系统的缓冲能力研究

本研究旨在寻找动荷载作用下公路钢棚洞中聚苯乙烯(EPS)垫层与土体层组合的双缓冲层的最佳厚度组合。采用耦合的光滑粒子流体动力学法(SPH)和有限元法(FEM),研究了落石冲击双缓冲层钢棚洞系统的缓冲性能。将数值计算结果与试验数据进行对比,验证了耦合数值模型的准确性。通过验证的数值模型,进行了一系列模拟试验,以寻找双缓冲层的最佳厚度组合。在6个工况中,EPS层厚度占缓冲系统总厚度的百分比分别为0%(P1)、20%(P2)、40%(P3)、60%(P4)、80%(P5)和100%(P6)。结果表明,SPH-FEM耦合方法是模拟落石冲击钢棚洞的有效方法;P4(EPS垫层厚度为0.6m,土层厚度为0.9m)组合效果最好,可显著降低结构位移响应的43%。双缓冲层可有效吸收约90%的落石冲击能。所得结果为进一步研究钢棚洞抗落石设计提供科学指导。

利用双低温缓冲层和插入应变超晶格技术制备高质量InP-on-GaAs复合衬底的MOCVD生长(英文)

提出一种结合双低温缓冲层和应变超晶格优势的高质量InP-on-GaAs复合衬底制备技术.研究发现LT-InP/LT-GaAs的双低温缓冲层比单一低温InP缓冲层的聚集应变的效果更为显著.并且,双低温缓冲层中的低温GaAs层存在一个最优生长厚度.当低温InP生长厚度一定,低温GaAs层的生长厚度达到优化生长厚度时,LT-InP/LT-GaAs双低温缓冲层能达到调节应变的最佳状态.最后,通过插入InGaP/InP应变超晶格,并且优化其在外延层中的插入位置,得到了高质量的InP-on-GaAs的复合衬底,2μm厚的InP外延层XRD-ω/2θ扫描的半高宽小于200″.

Al_2O_3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法

研究了 ECR- PAMOCVD在蓝宝石衬底上生长 Ga N外延层时衬底的清洗方法和缓冲层结构对于 Ga N晶体质量的影响 ,提出了新的衬底清洗方法和双缓冲层结构 .实验表明这种方法能够提供一个很好的生长基底 ,可以有效地改善 Ga