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一种采用双耦合等效跨导增强技术的94 GHz CMOS LNA
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作者 张凯娟 石春琦 张润曦 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期306-310,共5页
采用55 nm CMOS工艺,设计了一款应用于毫米波成像系统的94 GHz低噪声放大器(LNA)。提出一种双耦合等效跨导增强技术,在提高增益的同时,实现良好的宽带输入匹配。使用中和电容技术和共栅管栅端短接技术,进一步提高增益,并保证放大器的高... 采用55 nm CMOS工艺,设计了一款应用于毫米波成像系统的94 GHz低噪声放大器(LNA)。提出一种双耦合等效跨导增强技术,在提高增益的同时,实现良好的宽带输入匹配。使用中和电容技术和共栅管栅端短接技术,进一步提高增益,并保证放大器的高频稳定性。芯片测试结果表明,LNA的小信号增益最大值达到14.2 dB,3 dB带宽为87.1~95 GHz,噪声系数为6.7dB,输入1 dB压缩点为-13dBm。 展开更多
关键词 双耦合等效跨导增强 低噪声放大器 毫米波 共栅管栅端短接
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