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DFN封装翘曲和应力分析与优化
被引量:
2
1
作者
韩顺枫
唐晓柯
+4 位作者
关媛
李博夫
吴坚
李大猛
杨道国
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期376-381,共6页
回流焊过程中,双边扁平无引脚(DFN)封装会因为巨大的温度变化产生翘曲和应力,影响超高频射频识别(RFID)芯片的性能和可靠性。选取DFN3封装为例从理论方面分析结构和材料参数对封装翘曲和应力的影响,发现减小环氧塑封料(EMC)热膨胀系数(C...
回流焊过程中,双边扁平无引脚(DFN)封装会因为巨大的温度变化产生翘曲和应力,影响超高频射频识别(RFID)芯片的性能和可靠性。选取DFN3封装为例从理论方面分析结构和材料参数对封装翘曲和应力的影响,发现减小环氧塑封料(EMC)热膨胀系数(CTE)、增大其杨氏模量均能减小封装翘曲;通过有限元仿真分析得出的结论与理论分析相一致。为了减小封装翘曲和应力,选定具有更小CTE的9240HF10AK-B3 (Type R)作为新型EMC。通过有限元仿真结果对比发现,在25℃时,采用新型EMC的封装翘曲增大了16.8%,应力减小了4.1%;260℃时,其封装翘曲减小了45.7%,应力减小了9.2%。同时,新型EMC的RFID芯片标签回波损耗较之前优化了6.59%。
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关键词
双边
扁平无
引脚
(
dfn
)
封装
热膨胀系数(CTE)
杨氏模量
翘曲
应力
有限元
下载PDF
职称材料
具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管
被引量:
1
2
作者
庄翔
张超
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第3期199-204,共6页
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密...
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密度、降低了正向压降。该器件基于6英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺平台制备。与采用SOD-323封装的1 A、40 V平面小电流肖特基势垒二极管B5819WS相比,通过对沟槽结构关键尺寸和工艺条件的设计和优化,封装尺寸缩小88%,电流密度555 A/cm^(2)下正向压降典型值为0.519 V,反向电流100μA下反向击穿电压为48.98 V,反向电压40 V下反向漏电流为3.02μA。该器件具有更高的电流密度,可满足印制电路板(PCB)小型化需求。
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关键词
沟槽肖特基势垒二极管
正向压降
反向电流
电流密度
方形
扁平无
引脚
(
dfn
)
封装
下载PDF
职称材料
题名
DFN封装翘曲和应力分析与优化
被引量:
2
1
作者
韩顺枫
唐晓柯
关媛
李博夫
吴坚
李大猛
杨道国
机构
北京智芯微电子科技有限公司
桂林电子科技大学机电工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第5期376-381,共6页
文摘
回流焊过程中,双边扁平无引脚(DFN)封装会因为巨大的温度变化产生翘曲和应力,影响超高频射频识别(RFID)芯片的性能和可靠性。选取DFN3封装为例从理论方面分析结构和材料参数对封装翘曲和应力的影响,发现减小环氧塑封料(EMC)热膨胀系数(CTE)、增大其杨氏模量均能减小封装翘曲;通过有限元仿真分析得出的结论与理论分析相一致。为了减小封装翘曲和应力,选定具有更小CTE的9240HF10AK-B3 (Type R)作为新型EMC。通过有限元仿真结果对比发现,在25℃时,采用新型EMC的封装翘曲增大了16.8%,应力减小了4.1%;260℃时,其封装翘曲减小了45.7%,应力减小了9.2%。同时,新型EMC的RFID芯片标签回波损耗较之前优化了6.59%。
关键词
双边
扁平无
引脚
(
dfn
)
封装
热膨胀系数(CTE)
杨氏模量
翘曲
应力
有限元
Keywords
dual flat no-leads(
dfn
)package
coefficient of thermal expansion(CTE)
Young’s modulus
warpage
stress
finite element
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管
被引量:
1
2
作者
庄翔
张超
机构
江苏捷捷微电子股份有限公司
捷捷半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第3期199-204,共6页
文摘
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密度、降低了正向压降。该器件基于6英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺平台制备。与采用SOD-323封装的1 A、40 V平面小电流肖特基势垒二极管B5819WS相比,通过对沟槽结构关键尺寸和工艺条件的设计和优化,封装尺寸缩小88%,电流密度555 A/cm^(2)下正向压降典型值为0.519 V,反向电流100μA下反向击穿电压为48.98 V,反向电压40 V下反向漏电流为3.02μA。该器件具有更高的电流密度,可满足印制电路板(PCB)小型化需求。
关键词
沟槽肖特基势垒二极管
正向压降
反向电流
电流密度
方形
扁平无
引脚
(
dfn
)
封装
Keywords
trench Schottky barrier diode
forward voltage drop
reverse current
current density
quad flat no-lead(
dfn
)package
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
DFN封装翘曲和应力分析与优化
韩顺枫
唐晓柯
关媛
李博夫
吴坚
李大猛
杨道国
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
2
下载PDF
职称材料
2
具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管
庄翔
张超
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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