中点注入式无轴承永磁同步电机磁悬浮力建模

以中点注入式无轴承永磁同步电机为对象,为解决中点电流单边注入(MPCI)法的可控磁悬浮力有限问题,提出了一种中点电流双边注入法解决方案。先分析了中点注入式无轴承永磁电机的单绕组结构及其磁悬浮力的产生原理,然后基于麦克斯韦张量法,建立了基于中点电流双边注入的径向磁悬浮力数学模型;最后采用FEM法进行了磁悬浮力模型的验证分析。FEM分析结果表明,磁悬浮力模型计算结果与FEM分析结果基本一致;可控磁悬浮力与磁悬浮电流之间,以及不可控磁悬浮力与转子偏心位移之间,基本呈线性关系;与MPCI法相比,采用双边磁悬浮电流注入法时,可获得约2倍的可控磁悬浮力。FEM仿真结果验证了磁悬浮力模型的正确性,以及中点电流双边注入方法的优势。

用Fowler-Nordheim公式测定ITO功函数的研究

通过制备双边注入型单载流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,运用Fowler-Nordheim(F-N)公式变换,消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响,提高了测量的精度,简单准确地测定了ITO的功函数。实验测得值分别为4.85eV、4.88eV,与ITO的文献报道值接近。该方法操作简便,可以用来测定半导体和金属电极特别是合金电极的功函数。