ADI推出微功耗双运算放大器AD8506

AD8506带R—R输入和输出特性的低功耗CMOS双运算放大器，适合于便携式应用，包括电池供电病人监控器、遥感器、手持仪器和其他要求低电压、低功耗、精密测量的移动设备。AD8506凭借其创新电路的体系结构，在其电源供电和输入期间一直具有最低失真特性，所以保持很高的线性度。AD8506具有的105dB电源抑制（PSR）能力能够在电池工作期间使电源电压变化引起的误差达到最小，从而使其非常适合电池供电应用；

双运算放大器在高达36V宽电源电压范围提供低噪声

美国模拟器件公司（Analog Devices，Inc．，简称ADI）的AD8599双运算放大器适合于要求低噪声的医学、仪器仪表、自动测试设备（ATE）和其他工业应用，而无需牺牲精密度。ADS599作为业界唯一的在高达36V宽电源电压范围内在1kHz处具有1nV/Hz电压噪声的双运算放大器，其电压噪声比标准放大器降低了80％。AD8599可提供与许多单运算放大器相同的封装尺寸，所以能够大大提高集成度。

AD8506：微功耗双运算放大器

AD8506带R-R输入和输出特性的低功耗CMOS双运算放大器适合于便携式应用，包括电池供电病人监控器、遥感器、手持仪器和其它要求低电压、低功耗、精密测量的移动设备。AD8506凭借创新电路的体系结构，由于在电源供电和输入期间一直具有最低失真特性因此保持着很高的线性度。AD8506具有105dB电源抑制（PSR）能力能够在电池工作期间使电源电压变化引起的误差最小，从而使其非常适合电池供电应用。

Intersil推出精密低噪声40V双运算放大器

Intersil推出全新40V单电源、轨到轨输出的双运算放大器ISL28218,可提供精密、低噪声,以及产业最低的温度漂移的优化组合。此器件在工业、数据采集,与制程控制等应用上,提供优异的准确性,并仅需竞争产品一半的功耗。

低噪声精密双运算放大器

美国模拟器件公司（ADI）最近推出首款适合＋2．7V～＋5．5V电源电压的低噪声精密双运算放大器，适合低电压仪器仪表、音频、通信和医学系统应用。AD8656是AD8655的双放大器版本．其噪声指标比同类解决方案低2／3，是一款能够减小PCB面积并降低成本的双放大器。

ADI推出低噪声宽电源电压范围的双运算放大器

日前，美国模拟器件公司（ADI）发布的AD8599双运算放大器适合于要求低噪声的医学、仪器仪表、自动测试设备（ATE）和其他工业应用，而无需牺牲精密度。AD8599是一款可在高达36V宽电源电压范围内在1kHz处具有1nV／Hz电压噪声的双运算放大器，其电压噪声比标准放大器降低了80％。AD8599可提供与许多单运算放大器相同的封装尺寸，所以它能够大大提高集成度。

AD8656：双运算放大器

美国模拟器件公司推出一款适合＋2．7～＋5．5V电源电压供电，具有低噪声性能的精密双运算放大器AD8656。它是ADI公司最近推出的AD8655的双放大器版本，其噪声指标比同类解决方案低2／3。

双运算放大器与精密电压参考芯片NCP4300A

安森美公司生产的NCP4300A单片IC,是为控制开关型电池充电器或开关电源(SMPS)的输出电流和电压电平而专门设计的通用器件。 NCP4300A采用8脚SO封装,内置两个分别履行电压控制和电流控制的运算放大器及一个2.6V(士1％)

ADI公司推出首款低噪声双运算放大器

美国模拟器件公司（ADI）最近推出首款适合＋2．7V～＋5．5V电源电压供电具有低噪声性能的精密双运算放大器。为了适合低电压仪器仪表、音频、通信和医学系统设计工程师对同一封装内包含多个精密放大器的需求，AD8656是ADI公司最近推出的AD8655的双放大器版本，其噪声指标比同类解决方案低2／3。AD8656不仅具有AD8655的低噪声性能优势，而且是一款能够减小印制电路板（PCB）面积并且降低成本的双放大器。

ADI推出低噪声双运算放大器AD8656

美国模拟器件公司（ADI）目前推出一款适合2．7V～5．5V电源电压供电，并具有低噪声性能的精密双运算放大器。

NJU7029：CMOS双运算放大器

New Jqom Roclio公司推出低噪声CMOS双运算放大器NJU7029。NJU7029沿袭了低噪声CMOS单运算放大器NJU7009的技术特性，具有轨到轨输出，为双CMOS运算放大器。

意法半导体(ST)双运算放大器在2.7V电压时输出电流高达200mA

意法半导体(日前推出一个在2．7V电压时输出电流高达200mA的双运算放大器。这款器件的目标应用是工业和汽车市场，包括霍尔传感器补偿线圈、伺服放大器和电机驱动器。

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性

本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.

质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。

PNP输入双极运算放大器的辐射效应

对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。

基于JC-5600ATE的单/双电源运算放大器测试方法

集成运算放大器具有成本低、功能多等优点,可广泛用于自动控制系统、测量仪表等其他电子设备中。近年来集成运放的指标在不断提高,性能也在不断提升,伴随着运算放大器的发展,对用来考核运算放大器指标的测试技术也提出了相应的要求,对测试系统(Automatic Testing Equipment,以下简称ATE)的性能要求也相应变高。阐述了单、双电源集成运算放大器在JC-5600ATE上的测试方法,并分析了两者的测试差异。

JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性

本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(1、0.1、0.01及10-4、6.4×10-5Gy(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究。结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的“后损伤”现象。文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨。

集成运算放大器的特性及其在音频放大器中的应用(十)——低电压、低功耗运算放大器OPA2353

一、OPA2353简介 TI／BB公司生产的运算放大器OPA2353与上一回介绍的NS公司生产的LME976一样。也是具有电源电压低、消耗电流小、输入／输出轨到轨特性的双运算放大器集城电路。

集成运算放大器的特性及其在音频放大器中的应用(八)——重视音质的MUSES8820

一、MUSES8820的特点 正如在数据手册中所描述的＂高音质双运放＂那样,MUSES8820是接日本无线公司以重视音质为宗旨开发的双运算放大器。图1是MUSES8820的引脚连线图。

集成运算放大器的特性及其在音频放大器中的应用(七)——音频专用运算放大器LME49860

一、LME49860的特点 LME49860是NATIONALSEMICONDUCTOR（NS，国半）公司针对音频应用专门开发的一种高性能、高音质双运算放大器。在电气特性方面，噪声特性、带毫、失真率等主要参数都非常平衡，并具有驱动600Ω载的能力。