新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT

设计并制作了双异质结双平面掺杂的 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率 PHEMT器件 ,采用双选择腐蚀栅槽结构 ,有效提高了 PHEMT器件的输出电流和击穿电压 .对于 1μm栅长的器件 ,最大输出电流为5 0 0 m A/ mm ,跨导为 2 75 m S/ m m,阈值电压为 - 1 .4 V,最大栅漏反向击穿电压达到了 33V .研究结果表明 ,在栅源间距一定时 ,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系 ,是设计功率 PHEMT的关键之一 .